InAsGaAs自组织量子点异质结构的MOCVD生长及特性研究的开题报告.docx

InAsGaAs自组织量子点异质结构的MOCVD生长及特性研究的开题报告

题目：InAs/GaAs自组织量子点异质结构的MOCVD生长及特性研究

一、研究背景

自组织量子点异质结构是一种非常重要的半导体纳米结构，具有巨大的应用潜力。其中，InAs/GaAs自组织量子点异质结构由于其优异的光电学性质被广泛应用于激光器、太阳能电池等领域。因此，对这一结构的研究具有重要意义。

目前，MOCVD生长技术已成为制备高质量InAs/GaAs自组织量子点异质结构的主要方法之一。然而，在实际生长过程中，由于InAs/GaAs自组织量子点异质结构的复杂性，其生长参数与结构性质之间的关系仍需进一步探究。

二、研究内容

本文拟采用MOCVD生长技术制备InAs/GaAs自组织量子点异质结构，并研究以下内容：

1.不同生长参数对InAs/GaAs自组织量子点异质结构生长与结构形貌的影响；

2.生长过程中InAs/GaAs自组织量子点异质结构的组成与结构特性的演化规律；

3.利用光学和电学测试手段，探究InAs/GaAs自组织量子点异质结构的光学与电学性质，并分析这些性质与生长参数的关系。

三、研究意义

本研究对InAs/GaAs自组织量子点异质结构的结构与性质研究有重要意义，同时对于完善MOCVD生长技术、提高生长效率、促进相关应用的开发也具有一定的指导意义。