半导体及二极管教学.pptx

2.1半导体的基本知识

2.2PN结的形成及特性

2.3二极管

-2.4二极管的基本电路及其分析方法

2.5特殊二极管

第二章二极管及其基本电路

教学内容

回主员鹰目项景目强

教学要求

了解半导体材料的基本结构及PN结的形成；

学握PN结的单向导电工作原理；了解二极管

(包括稳压管)的V-I特性及主要性能指标；

掌握二极管电路的分析方法。

教学重点

本征半导体、空穴、P型杂质半导体、N型

杂质半导体的概念；PN结的单向导电工作原理、击穿特性；半导体二极管的结构、V-I特性；二极管电路的分析方法。

回主圆组录鬣目函

退出

教学难点

PN结的单向导电工作原理、击穿特性；二

极管电路的分析方法。

教学学时

理论课7学时。

回主圆阻函

2.1半导体的基本知识

一、半导体材料

根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、

绝缘体和半导体。

半导体的电阻率为10-3～109℃·cm。

典型的半导体有硅Si和锗Ge以及化合物半导体，如

砷化镓GaAs等。

半导体具有某些特殊性质：如光敏性、热敏性及掺

杂特性，导电能力改变。

二、半导体的共价键结构

现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它

们的最外层电子(价电子)都是四个。

硅与锗的原子结构简化模型

通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体

国主圆组录目星退

硅和锗是四价元素，它们分别与周围的四个原子的

价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。

+4表示除去价电子后的原子

(b)共价键结构平面示意图

+4

+4

(a)硅晶体的空间排列

+4

+4

退出

形成共价键后，每个原子

的最外层电子是八个，构成稳定结构。

共价键有很强的结合力，

使原子规则排列，形成晶体。

共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称

为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所

以本征半导体的导电能力很弱。

三、本征半导体、空穴及其导电作用

本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。

半导体的重要物理特性是它的电导率，电导率与材

料内单位体积中所含的电荷载流子的数目有关。

电荷载流子的浓度愈高，其导电率愈高。

载流子的浓度取决于材料的基本性质、温度值及杂

质的存在。

在绝对0度(T=0K)和没有外界激发时，价电子

完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即载流子),它的导电能力为0,相当于绝缘体。

回主圆组录目函退出

当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，

有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。

这一现象称为本征激发，也称热激发。

动画：本征激发

自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现

了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。

空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点

酸频普项退

由于共价键中出现了空位，在其它力的作用下，空

穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的

迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以

+4+4

束缚电子

动画：电子与空穴的移动

认为空穴是载流子。

醒颤应项

自由电子

空穴

+4

+4

自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定

向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。只不

过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填

空穴来实现的。

本征半导体中电流由两部分组成：

自由电子移动产生的电流；

空穴移动产生的电流。

酸题总目霉侧退

因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出

现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。

本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。

本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。

温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的

导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的

外部因素，这是半导体的一大特点。

四、杂质半导体

在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可

使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要

是三价或五价元素。掺入杂质后的本征半导体称为