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HF8810LI
DualN-ChannelMOSFET
DESCRIPTION
TheHF8810LIusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ItisESD
protected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch,facilitatedbyitscommon-drain
configuration.
V(BR)DSSRDS(on)ID
14.5mΩ@4.5V
15.6mΩ@3.8V
20V7A
18.5mΩ@2.5V
TypicalApplicationCircuit
28mΩ@1.8V
SOT23-6
HF8810LITypicalApplicationCircuit
AbsoluteMaximumRatings(Ta25℃unlessotherwisenoted)
ParameterSymbolValueUnit
Drain-SourceVoltageVDS20V
Gate-SourceVoltageVGS±12V
ContinuousDrainCurrentID7A
PulsedDrainCurrentIDM*30A
ThermalResistancefromJunctiontoAmbientRθJA83.3℃/W
OperationJunctionandStorageTemperatureRangeT,Tstg-55~+150℃
J
LeadTemperatureforSo
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