2020108059920一种叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112054090A

(43)申请公布日2020.12.08

(21)申请号202010805992.0

(22)申请日2020.08.12

(71)申请人无锡琨圣智能装备股份有限公司

地址214000江苏省无锡市新吴区锡贤路

106号

(72)发明人邵玉林王军张三洋

(74)专利代理机构北京科亿知识产权代理事务

所(普通合伙)11350

代理人汤东凤

(51)Int.Cl.

H01L31/18(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种叠加TCO透明导电薄膜的高效双面

TOPCON电池工艺

(57)摘要

本发明涉及一种叠加TCO透明导电薄膜的高

效双面TOPCON电池工艺，包括以下步骤：S1.制

绒；S2.氧化；S3.正面掺磷非晶硅/背面掺硼非晶

硅；S4.退火；S5.双面沉积TCO/SiNx‑S6.丝网印

刷烧结。整个工艺无需在低温环境下进行，双面

性更好两面均能发电。在多晶硅层表面增加AZO

透明导电层，能够阻挡浆料烧穿多晶硅层，提升

电池片的效率、良率，使得太阳能电池的导电浆

料选择变得更加容易。对多晶硅层的导电性能要

求降低，可以降低多晶硅的掺杂浓度，提升少子

寿命，改善膜的质量和钝化效果，电池效率更高。

A具有更高的兼容性，原有p型硅片产能可得到继

0续利用，相比现有PERC、常规TOPCON技术，工序更

9

0

4简单效率更高。

5

0

2

1

1

N

C

CN112054090A权利要求书1/2页

1.一种叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在于，包括以下步

骤：

S1.制绒；

S2.氧化；

S3.正面掺磷非晶硅/背面掺硼非晶硅；

S4.退火；

S5.双面沉积TCO/SiNx-S6.丝网印刷烧结。

2.根据权利要求1所述的叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在

于，步骤S1中，硅片先后经过槽式单晶制绒机在7884度的工艺温度，在3%-8%体积浓度的~

KOH和0.01-2%体积浓度的制绒添加剂混合溶液中反应400-600S，通过碱和硅的各向异性反

应原理制备金字塔状陷光结构。

3.根据权利要求2所述的叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在

于，步骤S2中，制绒后的硅片在90-100%浓硝酸溶液中，20-60度工艺温度下反应20300S氧~

化制备SiO层，所述氧化硅层厚度在0.2-5nm范围内。

2

4.根据权利要求3所述的叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在

于，步骤S3中，正反两面通过PECVD设备在氧化硅表面分别沉积掺杂磷和硼的多晶硅。

5.根据权利要求4所述的叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在

于，所述PECVD基底在腔体真空度低于0.1pa时，对衬底进行升温，所述衬底沉积温度优选的

在400800度范围内，衬底达到目标温度后通入混合反应气体包括PH、BH、SiH，所述气体

~3264

流量通过质量流量控制器进行控制，总的气体流量根据炉管体积进行相应调整。

6.根据权利要求5所述的叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在

于，沉积气压控制在20-80pa，射频功率控制在100-200W，反应气