高速PCB设计心得.pdfVIP

一：前言 随着PCB 系统的向着高密度和高速度的趋势不断的发展，电源 的完整性问题，信号的完整性问题（SI ），以及EMI ，EMC 的问题越 来越突出，严重的影响了系统的性能甚至功能的实现。所谓高速并没 有确切的定义，当然并不单单指时钟的速度，还包括数字系统上升沿 t 及下降沿的跳变的速度，跳变的速度越快，上升和下降的时间越短， e 信号的高次谐波分量越丰富，当然就越容易引起 SI，EMC ，EMI 的 n 问题。本文根据以往的一些经验在以下几个方面对高速PCB 的设计 . 提出一些看法，希望对各位同事能有所帮助。 h 电源在系统设计中的重要性 c 不同传输线路的设计规则 e 电磁干扰的产生以及避免措施 t 二：电源的完整性 b 1． 供电电压的压降问题。 c 随着芯片工艺的提高，芯片的内核电压及IO 电压越来越小，但功 p 耗还是很大，所以电流有上升的趋势。在内核及电压比较高，功 . 耗不是很大的系统中，电压压降问题也许不是很突出，但如果内 w 核电压比较小，功耗又比较大的情况下，电源路径上的哪怕是0.1V w 的压降都是不允许的，比如说ADI 公司的 TS201 内核电压只有 w 1.2V，内核供电电流要2.68A ，如果路径上有0.1 欧姆的电阻，电 压将会有0.268V 的压降，这么大的压降会使芯片工作不正常。如 何尽量减小路径上的压降呢？主要通过以下几种方法。 a ：尽量保证电源路径的畅通，减小路径上的阻抗，包括热焊 盘的连接方式，应该尽量的保持电流的畅通，如下图 1 和图2 的 比较，很明显图2 中选择的热焊盘要强于图1。 b ：尽量增加大电流层的铜厚，最好能铺设两层同一网络的电 源，以保证大电流能顺利的流过，避免产生过大的压降，关于电 t 流大小和所流经铜厚的关系如表1 所示。 e n h. c te b c p w. w w （表1） 1 oz.铜即35 微米厚，2 oz.70 微米, 类推 举例说，线宽0.025 英寸，采用2 oz.盎斯的铜，而允许温升30 度， 那查表可知， 最大安全电流是 4.0A 。 2 ． 同步开关噪声的问题。