第七章半导体激光器.ppt

阈值电流 7.2 半导体激光器的工作原理 7.3不同结构的半导体激光器 异质结半导体激光器 同质结：由同一种基质的不同区域分别掺入施主杂质和受主杂质而形成的结，由于是同一种基质，故称为同质结。 同质结半导体激光器的缺点： 1、产生明显的复合辐射所需要的电流密度很高，容易导致材料损伤。 2、由载流子向相邻材料渗透结区厚度达数微米，为能供足够激励会产生多余而有害的热，因此同质结激光只能在非常低的温度下工作，已经很少用。 7.3不同结构的半导体激光器 异质结半导体激光器 异质结的概念 异质结：由不同材料构成的结，形成结的两种材料沿界面具有相近的结构，以保持晶格的连续性 7.3不同结构的半导体激光器 异质结半导体激光器 1、在n型GaAS基质上形成GaAs/AlxGa1-xAs异质结结构，有源区厚度由p型GaAs决定，只有p型GaAs层允许电流流过，可以发生激发和复合辐射； 2 、P型GaAs层的厚度由制造决定，一般只有 0.1~0.2?m。 3 、光波所在有源层( p-GaAs )的约束由有源层与其包围层之间的折射率差实现。 7.3不同结构的半导体激光器 单异质结半导体材料 有源区(p-GaAs)的上表面为不同材料形成的界面，因而具有较大的折射率差和光波约束作用；而下表面则由同种基质形成，折射率仅由掺杂引起而数值较小，光约束效果较小，该结构称为单异质结。 7.3不同结构的半导体激光器 双异质结半导体材料 p型GaAs激活区上、下能级分别为p型和n型AlGaAs,双异质结可使载流子激发与复合的区域以及光束传播的区域得到进一步控制，从而使阈值电流减小。 7.3不同结构的半导体激光器 量子阱结构： 46 如果将异质结的激活层厚度进一步减小至5～10nm，则电子能量展现量子行为，称为量子阱结构。 量子阱可以有效地将载流子约束在很小区域，为了将光场也约束在一个相应小的区域中，需在有源层和包层之间增加导波层。 量子阱激光器具有非常高的增益和非常低的阈值电流密度（如0.5 mA﹒cm-2), 目前大多数半导体激光器采用量子阱结构。 量子阱结构半导体激光器 7.3不同结构的半导体激光器 47 增益波导激光器结构 1、GaAs薄层为激活区，其厚度0.03~0.2?m,； 2、激光器产生激光辐射的方向的典型长度为0.2~1mm 3、有源层上、下分别为厚度0.005～1?m范围变化的p型和n型AlGaAs附加层，它们与GaAs形成双异质结。 7.3不同结构的半导体激光器 47 增益波导激光器结构 限制电子空穴发生复合作用的有源区 对光波加以约束 p型AlGaAs的上方，只有中间一条窄条与金属电极接触，其它区域被氧化物绝缘层与电极分开，电流被限制在窄条中，光束也被相应约束。 p型和n型AlGaAs附加层的作用： 1、激活层：为GaAs 2、P型AlGaAs在其上方，并于中央形成隆起，再上面是氧化物层，氧化物层相对于p型材料具有较低折射率，二者界面处形成折射率垒，对激光横向激活区形成约束。 7.3不同结构的半导体激光器 折射率波导激光器结构 7.3不同结构的半导体激光器 分布反馈半导体激光器（DFB) 在有源层之上或者之下的材料层中制作折射率或者增益的周期分布的布拉格光栅，利用它的布拉格反射建立反馈的半导体激光器。 7.3不同结构的半导体激光器 分布反馈半导体激光器（DFB) 布拉格周期由所需激光波长确定，并对其选择反馈，具有良好的单纵模特性。发射的激光波长满足如下条件： 2? ? m? /n ?：光栅周期, n: 工作物质的折射率，m: 光波模式的阶数 DFB激光器中，布拉格光栅分布在整个谐振腔中，利用大范围的光栅效应对光波进行选频和产生振荡 * * * 7 半导体激光器 本章内容 * 1. 半导体激光器的概述 2.半导体激光器的工作原理 3.不同结构的半导体激光器 * * 1917年，爱因斯坦，《论辐射的量子性》，指出物质对光的辐射源于不同能级间的电子跃迁 ，阐述光的受激发射的概念，成为激光的理论基础。 1960年，梅曼发明第一台红宝石激光器 1962年9月，通用电气公司的霍尔观察到正向偏置的GaAs 的相干光发射，标志着世界上第一台半导体激光器的诞生。 中国:1964年中科院半导体研究所和长春光机所实现半导体激光器低温脉冲输出。 7.1 半导体激光器概述 * 半导体激光器也称为半导体激光二极管，或简称激光二极管(Laser Diode, 缩写LD)。 半导体激光器以半导体材料为工作物质。常用的半导体材料主要有三类: 由于半导体材料本身物质结构的特异性以及半导体材料中电子运动规律的特殊性，使半导体激光器的工作特性有其特殊性。 (1)ⅢA -Ⅴ A族化合物半导体,如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等