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单总线多点高精度测温解决方案 概述： 在传统模拟信号远距离温度测量系统中，需要很好地解决引线误差补偿、多点切换误差和放大电路零点漂移误差等技术问题，才能够达到较高的测量精度。另外一般监控现场的电磁环境都非常恶劣，各种干扰信号较强，模拟温度信号容易受到干扰而产生测量误差，影响测量精度。因此，在温度测量系统中，采用抗干扰能力强的新型数字温度传感器是解决这些问题的最有效方案。相对于传统模拟测温系统，杭州晶华微电子有限公司研发的新型数字温度传感器SD5020具有体积更小、精度更高、适用电压更宽、采用单总线、可组网等优点，在实际应用中取得良好的测试效果。应用领域包括温控系统、工业过程控制、电源热保护、环境温度检测等。 SD5020的主要特点： 管脚兼容DS18B20芯片。 工作电压范围：2.7V～5.5V， 温度精度：在-10℃ ~ +85℃范围内最大误差±0.8℃，在-55℃ ~ +125℃范围内最大误差±1.5℃。 温度分辨率为12位，对应的分辨温度为0.0625℃，可实现高精度测温，完成一次温度测量的时间约为85ms。 测量结果直接输出数字温度信号给CPU，，具有极强的抗干扰纠错能力总如图所示在外部电源供电方式下，工作电源由VDD引脚接入，引脚可以保证转换精度可以同时在总线上挂接多个传感器，组成测温系统。在外部电源供电方式下在寄生电源供电方式下，从单线信号线上汲取能量：在信号线D处于高电平期间能量储存在电容里，在信号线处于低电平期间消耗电容上的电能工作，直到高电平到来再给寄生电源电容充电。要想使进行精确的温度转换，IO线必须保证在温度转换期间提供足够的能量MOSFET可以不用）。 图3. SD5020寄生电源供电方式图 SD5020多从机寄生电源供电方式如图所示由于每个在温度转换期间工作电流A左右，当个温度传感器挂在同一根I/O线上进行多点测温时，只靠K上拉电阻无法，。为，，MOSFET，把线拉到VCC。可以，。MOSFET。 在电源供电方式下3.3V ~ 5.5V，仍然保证在-55℃ ~ +125℃MOSFET选择导通阻抗小，开关快的管子，建议在其栅极接一个100k的上拉电阻至VCC，使PMOSFET不易损坏，（加100k电阻防止PMOSFET栅极悬空，给栅极和源极放电，默认状态PMOSFET处于断开状态）。Diode选择肖特基二极管，上拉电阻可选择1k～10k，电容可选择4.7uF～10uF，推荐使用上拉电阻3.3k，电容10uF。 图4. SD5020多从机寄生电源供电方式图 ? 设计注意事项： ? ? 1较小的硬件开销需要相对复杂的软件进行补偿，由于与微处理器间采用串行数据传送，因此，在对进行读写编程时，必须严格的保证读写时序，否则将无法读取测温结果。 ? ? 2在 3、在55℃ ~ +125℃范围内，VCC-Vdiode2.7V，其中Vdiode是二极管的正向导通电压。 当SD5020数量N值较大时，经过强上拉PMOSFET的平均充电电流=0.2mA*N也很大，瞬态充电电流更大（对电容Cpp=10uF*N充电）。这要求PMOSFET的导通阻抗(Ron)尽量小，电源VCC的负载能力足够强，避免干扰到MCU。 建议使用SD5020的“单次测温”功能，或者“关断模式”。只在需要时经过DIO通讯开启对应的每一个SD5020芯片，进入测温状态，获取温度值之后再次关闭测温功能。这样做可显著降低功耗，减小系统干扰。 经实验证明，将32个多从机并联DIO并使用寄生电源供电，在-55℃ ~ +125℃范围内测温1小时都能正常，数据参考下图。测试时电源电压3.3V，上拉电阻3.3k。最多并联使用的数量，由用户电路系统的实际环境和参数决定。 图5 图6 图7 图8 图9 图10 程序参考如下： 杭州晶华微电子有限公司 紫杉产品初步规格及设计说明 v0.1 第 2 页 共 5 页 2011.04.14 SD5020应用笔记 第 5 页 共 5 页 2013.03.14 文件名称 第 1 页 共 5 页 日期 （作者）