大功率半导体激光器光纤耦合技术详解.docVIP

大功率半导体激光器光纤耦合技术详解.doc

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大功率半导体激光器光纤耦合技术详解   1. 前言   近年来,高功率光纤激光器因其优良的性能日益受到人们的重视和青睐,被广泛地应用于工业加工、空间光通信、医疗和军事等各个方面,其迅速发展在很大程度上得益于大功率高亮度半导体激光器技术的进步,大功率半导体激光光纤耦合技术一直是高功率光纤激光器技术的一项关键核心技术。相反地,半导体激光器泵浦的高功率光纤激光器(DPFL)的发展也带动了大功率半导体激光器技术,尤其是大功率半导体激光光纤耦合技术的进步。   由于单管半导体激光器(LD)的输出功率受限于数瓦量级,远不能满足高功率光纤激光器泵浦源的要求,要获得更大输出功率须采用具有多个发光单元的激光二极管阵列(LD Array)。按照结构形式的不同,激光二极管阵列分为线阵列(LD Bar)和面阵列(LD Stack),分别如图1(a)和(b)所示,其中LD Bar的输出功率一般在数十瓦至百瓦量级,而LD Stack的输出功率一般在数百瓦乃至上千瓦。无论是单管LD还是LD Array,由其固有结构特点决定了半导体激光器具有光束发散角较大,输出光束光斑不对称,亮度不高等问题,给作为高功率光纤激光器泵浦源的实际应用带来很大困难和不便。一个较好的解决方法是将半导体激光耦合进光纤输出,这样既可以利用光纤的柔性传输,增加使用的灵活性,又可以从根本上改善半导体激光器的输出光束质量。 图1 (a)LD Bar 和(b)LD Stack   大功率半导体激光器阵列光纤耦合技术作为一项高新技术,具有很高的技术含量,涉及半导体材料、纤维光学技术、微光学技术、微精细加工技术和耦合封装技术等关键单元技术。目前为止,大功率半导体激光器阵列光纤耦合技术主要采用两条技术路线:光纤束耦合法和微光学系统耦合法。下面将主要以LD Bar光纤耦合技术为例,就该两种方法进行详细阐述。   2. 大功率半导体激光器阵列光纤耦合技术   2.1光纤束耦合法   光纤束耦合法(又称光纤阵列耦合法)是早期使用的一种光纤耦合技术,具有结构简单明了、耦合效率高、各发光元的间隙不影响整体光束质量和成本低等优点。该方法通过微光学系统将LD Bar各个发光单元发出的光束在快轴方向进行准直和压缩后,与相同数目的光纤阵列一一对应耦合,然后通过光纤合束在光纤束出射端进行集束输出,示意图如图2所示。 图2 光纤束耦合法示意图   由于大功率半导体激光器阵列在平行于PN结平面方向(慢轴方向)的发散角较小(一般为 ~ ,相应的数值孔径为0.05~0.11),没有超出输出光纤的数值孔径(通常为0.11或0.22),因此不用对慢轴方向的发散角进行压缩,只需对激光器在垂直于PN结平面方向(快轴方向,发散角一般为 ~ ,相应的数值孔径为0.26~0.34)的输出光束进行压缩即可。圆柱形微透镜对光束具有一定的会聚作用,能够把半导体激光器发出的光束进行单方向会聚,利用圆柱形微透镜可以实现快轴方向发散角的压缩,尽管具有较大的光学象差,但是并不影响它在耦合中的应用。大功率LD Bar各个发光单元发出的光束经过圆柱形微透镜实现快轴方向的准直和压缩后,一对一的耦合到光纤阵列中,然后将光纤阵列用特殊的工艺进行合束处理,并装配到SMA905的标准接头中。图3为LD Bar光纤阵列耦合系统示意图。实用化产品中采用此方法的有中科院半导体所,美国Coherent公司和SDL公司等,其中Coherent和SDL的产品的光纤束输出端有时会对接一根单芯光纤,这就要求有很好的对接光学系统。在这种光纤阵列耦合方法中,光纤阵列需要精密排列固定,且排列周期应和LD Bar的单元周期严格匹配。因此需要加工特殊设计的精密V型槽或U型槽阵列,用以固定光纤阵列。 图3 光纤阵列耦合系统示意图   光纤束耦合法虽然因具有结构简单,成本低等优点被广泛应用于对亮度和功率密度要求不高的实用化系统中,但是由于光纤束(包括对接光纤)直径较大,导致输出激光的亮度和功率密度较低,并且也难以通过对该光束进行进一步整形来提高光亮度。因此,该耦合技术不能很好的满足半导体激光器泵浦源对高光能量密度的要求,正逐渐被采用微光学透镜阵列的光束整形耦合技术所取代。   2.2微光学系统整形耦合法   微光学系统整形耦合法是通过微光学系统(微透镜阵列、微棱镜阵列、微柱透镜等)对LD Bar输出的光束进行准直、整形、变换和聚焦耦合进入单根光纤中。图4所示为微光学系统整形耦合法的原理方框图。 图4 微光学系统整形耦合法原理方框图   如前所述,LD Bar由于其结构的特殊性决定了快、慢轴方向光束的非对称性,因此输出光束的准直需要在快、慢轴方向上分别进行。因为发散角比较大且为高斯光束,快轴的准直通常需利用具有大数值孔径(一般NA>0.85)的非球面微柱透镜,既可以校正球差而又不至于增加过多

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