半导体器件模拟软件ISE—TCAD.pdfVIP

科技信息 SCIENCE＆TECHN0L0GYINFORMATI(1N 20l2年 第33姗 半导体器件模拟软件 ISE—TCAD 袁 博 陈世彬 f西安3-,11,大学理学院 陕西 西安 710021】 摘【 要】本文的研究目的是对丰导体模拟软件 ISE—TCAD进行详细介绍．旨在介绍软件的模拟方法，并利用仿真软件 ISE—TCAD对其在 室温下的正向伏安特性与反向伏安特性进行了模拟仿真．并取得 了有价值的数据 从模拟图的结果可知室温(303K)且偏压较低时．电流随着 电压呈指数关系增长．W／SiC肖特基势垒二极管的开启电压约为O．2V；偏压较高时，电流增加缓慢，串联电阻效应明显 模拟值表明反向电流数 值 比正 向数值小几个数量级 关【键词】ISE一FCAD：MDRAW；DESSIS：I-V特性 TheSimulationSoftwareofSemiconductorDeviceISE—TCAD A【bstractrrhepurposeofthisIhesisisonthesenfieonduetorsimulationsoftwareofISE—TCADapejntroducedindetail，ainlstoinfrodli(tethe softwaresimulation method．SemicoMuetorsinmlation softwareISE—TCAD Wasused tosimulate W ／SiC SBD fi)rward voltagecharacteristicsan(I reversevohagecilaraeteristi(-satrooln[emperaturesaM thevaluableresuhswereachieved．Atroom lemperature (303K)，ifbiasvohagewaslow，the currentwillbeexponentialgrowingwithvoltage．trodtheturn-onvoltageofW ／SiC Sehottkybarrierdiodewasabout0．2V．Ifbiasvohage,washigl1． theCulTentincreasedwillbeslow．alldtheseriesresistanceeffeetwillbecomeo1)vious．A I℃vefseeurrentvaluewaslessthantheforwardeuffellt valuesseveralor(tersofmagnitude． 【Keywords】ISE-TCAD；MI)RAW；DESSIS；I-V 【ll‘araeteristics ]岂及器件仿真T ISE— TCAD是瑞十 ISE flntegrated Syste¨1sEngineerII1g)公司开发 的生 产 制 造 川 没计 (DFM： DesignF¨rManuthcturability)软 件．是1-艺及仿真]=：具 I)ios(二 维)FLO()PS—ISE (■维)以及 Ligamnt(T 流 编辑 )系列 工具．将 一维 、 维和 纬；仿真 集成于M一平行．是一种建立 在物理基础上 的数值仿 r 具 软件包是 多个模块组成 的．主要是T艺仿真工具 I)IOS、 器件生成 r具MI)RAW、器件仿 真工具 I)ESSIS．这些模块都可 以在 GENESISe平台 1『】 开和 运行I” 2O12年汤晓燕等刖 ISE— TCAD软件对 41t—SiC浮动结 图 1 软件总界面 JBS二檄管进行 J■维仿真．研 究了套刻偏差对器件正反向性 解析方法 另外．DESSIS软件还支持 SiC和Ⅲ一V族混合结构．异质结 能的影响 2011年．陈达报导了3CSiCSi肄质外延生长 肖特基二 器件 极管伏安特件的研究．其 f]『对器什电学特性的模拟描述．是通过求解 DESSIS软件既可以仿真单独一个半导体器件的电学特性．也可