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2017-09-15 发布于重庆
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的结构与压电性能的影响研究.pdf

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第 28 卷第 3 期无机材料学报 Vol. 28 No. 3 2013 年 3 月 Journal of Inorganic Materials Mar., 2013 文章编号: 1000-324X(2013)03-0321-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2013.12229 LiSbO3 含量对 BiMnO3 掺杂 K0.5Na0.5NbO3 陶瓷的结构与压电性能的影响研究 1,2 1, 2 1 1 1 2 江民红 , 刘心宇 , 陈国华 , 朱归胜 , 许积文 , 马家峰 (1. 桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室, 桂林 541004; 2. 中南大学材料科学与工程学院, 长沙 410083) 摘要: 采用传统陶瓷常压烧结工艺制备(0.996–x)KNN-0.004BM-xLS(x=0 、0.01 、0.02 、0.03 、0.04 、0.05 、0.06)无铅压电陶瓷, 着重研究了 LS 的含量对(0.996–x)KNN-0.004BM-xLS 陶瓷相结构和压电性能的影响。结果表明, 当 x ≤0.02 时, 陶瓷具有单一的正交相结构; 当 0.03 ≤x ≤0.05 时, 陶瓷具有正交相与四方相共存的过渡结构; 当 x=0.06 时, 陶瓷具有单一的四方相结构。陶瓷的 MPB 成分范围在 0.03≤x ≤0.05 。随着LS 含量的增加, 陶瓷材料的 d 和 k 均先增加后减小, 当x=0.05 时, 均达到最大值, 分别为 230 pC/N 和 0.42; 陶瓷的 T 和 T 均向低温方向移 33 p o-t c 动; 当x=0 时, 陶瓷的 T 和 T 分别为 455 和 215 ℃; 当x=0.02 时, 陶瓷的 T 和 T 分别为 385 和 150℃; 当x=0.06 o-t c o-t c 时, T 和 T 分别降至 370 ℃和 75 ℃。 o-t c 关键词: 无铅压电陶瓷; K