非晶硅太阳电池光照J2V特性的AMPS3.pdfVIP

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2017-09-15 发布于重庆
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第 54 卷第 5 期 2005 年 5 月物　理　学　报 Vol . 54 ,No . 5 ,May ,2005 ( ) 10003290200554 05 230205 ACTA PHYSICA SINICA 2005 Chin . Phys. Soc . 非晶硅太阳电池光照 J V 特性的 AMPS 模拟 ) ) ) ) ) ) ) ) ) 胡志华1 2 　廖显伯1 　刁宏伟1 　夏朝凤2 　许　玲2 　曾湘波1 　郝会颖1 　孔光临1 1) ( 中国科学院半导体研究所 ,北京　100083) 2) ( 云南师范大学能源与环境科学学院 , 昆明　650092) (2004 年 8 月 11 日收到 ;2004 年 9 月 23 日收到修改稿) ( ) 　　运用 AMPS Analysis of Microelectronic and Photonic Structures 模拟分析了 TCOp- a- SiC :Hi- a- Si :Hn- a- Si :Hmetal 结构的异质结非晶硅太阳电池中的pi 界面的价带失配以及 TCOp ,nmetal 界面接触势垒对电池光电特性的影响. 分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中 J V 曲线异常拐弯现象的种类和可能原因. 关键词 : 非晶硅 , 太阳电池 , 计算机模拟 PACC : 7340L , 8630J , 6185 VOC 的电压范围 ,而另一种则是发生在 VOC 附近或是 1 引言小于 VOC 的电压范围 ,或者是上述二者兼而有之. 结合工艺过程和器件物理分析 ,我们认为这种实验发现 ,品质优良的非晶硅太阳电池 ,其光暗 J V 曲线异常拐弯现象主要起因于各种界面问题. J V 特性近乎接近于二极管的理想特性曲线 ,并且 , 为此我们运用一维微光电子结构分析模型AMPS- 1D 光暗 J V 曲线基本遵循叠加原理 ,如图 1 所示. (Analysis of Microelectronic and Photonic Structures) [5 ] 重点分析了非晶硅太阳电池中p i 和 TCOp ,nmetal 界面能带偏移或势垒高度对电池光照 J - V 曲线的影响. 2 器件和材料物理参数模型图2 中是 TCO 的费米能级与 p 层导带的能 b0