溶液相沉積銅金屬奈米粉末與銅膜的新方法.pdfVIP

毫 微 米 通 訊 溶液相沉積銅金屬奈米粉末與銅膜的新方法 邱靜雯、裘性天 國立交通大學應用化學研究所 表一　不同金屬之性質比較。 簡介 C u A l Au A g W 半導體產業發展至今已有四十多年，隨 電阻率 ( ， c m ) 1 . 6 7 2 . 6 6 2 . 3 5 1 . 5 9 5 . 6 5 著I C之技術的成長，元件尺寸不斷地縮小至 熔點 ( m p ，℃) 1 0 8 5 6 6 0 1 0 6 4 9 6 2 3 3 8 7 深次微米範圍，金屬連接線所造成的時間延 - 1 導熱性 ( W c m ) 3 . 9 8 2 . 3 8 3 . 1 5 4 . 2 5 1 . 7 4 遲現象，已成為元件操作速度的重要關鍵 - 1 - 1 比熱 ( J K g K ) 3 8 6 9 1 7 1 3 2 2 3 4 1 3 8 ( 1 ) 。而由內連線所造成的時間延遲，是為金 1 1 2 楊氏係數 ( 1 0 dy n e / c m ) 1 2 . 9 8 7 . 0 6 7 . 8 5 8 . 2 7 4 1 . 1 屬導線的電阻值 (R) 與金屬導線間之介電層 抗腐蝕 差 佳 優 差 佳 的電容值 (C) 所得之乘積，因此欲減少內連 與S i O 黏著性 差 佳 差 差 差 2 線的時間延遲有兩個方法：一為使用較低電 抗電遷移性 高 低 非常高 低 非常高 阻值的金屬做為金屬導線，另一則為使用具 有低介電常數值的材料做為金屬與金屬間的 介電層。本文將針對以較低電阻值的金屬做 生；而以低溫雷射退火回流法沉積薄膜，因 為金導線做一探討。在表一中所列的是幾種 要克服同的高熔點，必須配合超高真空系 可能的金屬之性質比較 ( 2 ) 。在這些眾多的金 統，將回流的溫度降低至 4 0 0 ℃；電子迴旋 屬中，金屬銅是一不錯的選擇，主要是因為 共振電漿 /濺鍍混合法則以銅金屬作為濺鍍 銅 金 屬 具 有 許 多 的 優 點 ，如 電 阻 值 為 源，基板溫度為2 0 0 ～3 0 0℃，利用E C R產生 1 . 6 7 - c m ，較鋁低約4 0 % 、較高的抗電子 的電漿將銅沉積於基板表面。二、化學氣相 遷移能力以及良好的導熱性，以及其他一些 沉積法：採用有機金屬化合物為其前驅物， 有利的因素，使得銅金屬成為新材料的首