半导体光电信息功能材料的研究进展.pdfVIP

臻誊蠡麓豪 灞箨灏； 鎏 适合于深亚微米乃至纳米工艺所需的 高K栅介质、金属栅、双栅／多栅器件、 成功了单电子器件 (单电子晶体管和 大直径硅外延片将会成为硅材料发展 应变沟道和高迁移率材料，铜互连技 单电子存储器)，而且按照 目前的技术 的另一个主要方向。绝缘体上半导体 术(扩散 阻挡层)、低介电常数材料、 水平 ，制备室温工作的单电子晶体管 (SOI)材料 ，具有 电路速度快、抗辐 多壁纳米碳管通孑L和三维铜互连等 ； 器件 (SET)已无不可克服的困难 ；但 射、低功耗和耐高温等特点，同时具有 另一方面，在电路设计与制造方面，采 是，我们不仅需要单个器件，还需要超 简化工艺流程、提高集成密度、减小软 用硅基微／纳器件混合 电路 、光电混 高密度 (每个MPU芯片可集成数量为 误差等优势，因而受到广泛重视，很有 合集成和系统集成芯片(SOC)技术 l0。～l0m的、功能完全相同的SET)、 可能成为l80nm及 以下存储器电路的 等，来进一步提高硅基ICs的速度和功 低功耗、运算速度快、能与硅工艺兼容 优先选用材料。GeSi／Si应变层超晶 能。然而，虽然采取上述措施可以延长 的技术。近年来，虽然基于量子点的自 格材料以其器件、电路的工作频率高， 摩尔定律的寿命 ，但硅微 电子技术最 适应网络计算机 已取得进展，但要实 功耗小等特点而优于硅，以其价廉而 终难以满足人类对信息量需求的日益 现单 电子器件的大规模集成，还有很 胜于GaAs，加之与硅工艺CMOS集成 增长。为此，人们正在积极探索基于全 长的路要走。 电路技术兼容、工艺成本低的优点，在 新原理的材料、器件和电路技术，如基 不少人认为，碳纳米管将成为纳 微波器件和移动通信高频电路等产业 于量子力学效应的纳米电子 (光电子) 米电子学主导材料，然而，研究表明虽 领域有着广泛的应用前景和竞争优 技术、量子信息技术、光计算技术和分 然碳纳米有着很高的沟道 电子迁移 势。基于SiGe材料生长的应变硅技术 子电子学技术等。 率，但它的寄生效应 (寄生电阻和电容 可以提供更高的器件驱动电流与更快 (2)硅微电子的可能 “替代”技术探讨 等)使其难以高频工怍，Chen等 报导 a．纳米电子技术 的晶体管速度，而制造成本却只有2％ 的集成在一个单壁碳纳米管上、包含5 目前 ，虽然建立在量子力学基础 的提升，所以，有可能替代体硅材料成 个CMOs反转级的环形振荡器工作频 上的纳米电子学工作原理、工作模式、 为65nm以下CMOS的主流技术，受到 率要 比最新的CMOS慢10～l010倍 ! 采用什么材料体系和工艺技术等尚存 广泛关注。 另外，如何将碳纳米管有序的排列和 争议，但纳米电子学仍是该领域的研 根据2007年版 “国际半导体技术 互连起来构成一个功能强大的电路 ， 究热点。虽然早在l0多年前就已研制 发展路线图(InternationalTech 目前还尚无 良策。 no1ogY R 0adm aP f0r Semiconductors，ITRS)”的预测，集 成 电路的特征线宽到2