微力学测试仪在MEMS键合强度测试中的应用.pdfVIP

下载本文档

20
0
约 4页
2017-09-13 发布于重庆
举报
版权申诉

微力学测试仪在MEMS键合强度测试中的应用.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

维普资讯规械度 2005，27(3)：331～334 微力学测试仪在 MEMS键合强度测试中的应用 APPLICATIoN oF SUPER一 ⅡCRo TESTER IN IⅡ sl BoNDD G STRENGTH 1EST 郇勇张泰华一杨业敏一 ’ 阮勇张大成 (1．中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室。北京 100080) (2．北京大学微电子学系 MEMS工艺研究室，北京 100871) (3．中国科学院研究生院，北京 100080) HUAN Yong ZHANGTaiHua’ YANG YeMin’ RUAN Yong ZHANG DaCheng (1．StateKeylaboratoryofNonlinearMechanics(LNM)，InstituteofMechanics。 ChineseAcademyofSciences，Being 100080，China) (2．DepartmentofMicroelectronics，PekingUniversity， 100871，China) (3．GraduateSchooloftheChineseAcademyofSciences，8eijing 100080，hCina) 摘要研制微力学测试仪，对微电子机械系统中键合结构的强度进行测试。最大载荷为 1．4N，在载荷量程为450 mN时仪器的最高分辨力为 lO 。采用键合在玻璃基底上的硅悬臂梁作为试样。为模拟横力剪切破坏和扭转破坏工况，用微力学测试仪分别在悬臂梁的固定端和自由端施加载荷至试样破坏。测得相应的破坏载荷并计算出最大剪应力。对破坏残骸的显微观察发现，存在玻璃开裂和硅开裂 2种失效模式。该技术为微电子机械系统 (micro-electro-mechanical system，MEMs)键合结构的强度表征提供一种有效方法，并可用来进行微悬臂梁或微桥的强度测试。关键词微电子机械系统键合微悬臂梁强度中图分类号 0334 Abstract AninstrumentnamedSuperMicro-Tester(SMT)hasbeendesignedfortestingthebendingstrengthofanchors．The maxilllu／nloadcapaci~ ofSMTis1．4N，nadhteminimumresolutionis10 atarangeof450mN．Siliconmicro-cnatileverspecimens ht oneendna choredonglassweFefabricatde ofrthistest．Inordertosimulateshearfailurenadtorsionfailure．SMT applide aofrce throughaprobetopushmicro-cnatileversathte~~de-endnadfree—endrespectivelyuntilhteyfailde ．Th ecorrespondingcritical loads weferecordde ofrcalculatinghtebondingstrengthofdifferentspecimens ．Amicroscope Was setinfrontofhtespecimentocapturehte wholetestprocess．Th eruptureoccursinglassorsiliconrespectivelyofrdifferentsamples．Th isnoveltechniqueprovides alleffcetiveSO— lufionofrdetermining