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第27 卷 第 11 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 27 No. 11
2012 年11 月 Journal of Inorganic Materials Nov., 2012
文章编号: 1000-324X(2012)11-1211-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.12027
CdSe 胶质量子点的电致发光特性研究
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楼腾刚 , 胡 炼 , 吴东锴 , 杜凌霄 , 蔡春锋 , 斯剑霄 , 吴惠桢
(1. 浙江大学 物理学系, 硅材料国家重点实验室, 杭州310027; 2. 浙江师范大学 物理系, 金华 321004)
摘 要: 采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点, 在此基础上制成了以 CdSe 胶质量子点为有源层, 结构为
ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al 的电致发光(EL)器件. 透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm, 扫描电子显微镜测量ZnS
薄膜和Al 薄膜结果显示表面均较为平整, 由器件结构的X 射线衍射分析观察到了CdSe(111) 、ZnS(111)等晶面的衍
射, 表明器件中包含了CdSe 量子点和ZnS 绝缘层材料. 光致发光谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614 nm, 电
致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450 ~ 850 nm, 峰值在800 nm 附近. 本文对电致发光机制及其与光
致发光谱的区别进行了讨论.
关 键 词: CdSe; 量子点; 电致发光; 光致发光
中图分类号: O443 文献标识码: A
Electroluminescent Characteristics of CdSe Colloidal Quantum Dots
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LOU Teng-Gang , HU Lian , WU Dong-Kai , DU Ling-Xiao , CAI Chun-Feng , SI Jian-Xiao , WU Hui-Zhen
(1. Department of Physics, State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China; 2. De-
partment of physics, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, China)
Abstract: Electroluminescent (EL) devices with an ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al structure were fabricated using chemi-
cally synthesized colloidal CdSe quantu
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