现代电力电子器件现状与发展浅析.pdfVIP

第24卷第2期 周口师范学院学报 2007年3月 Vol.24No.2 JournalofZhoukouNormalUniversity Mar.2007 现代电力电子器件的现状与发展浅析 刘 伟 ，李 健 (周口师范学院物理与电子工程系，河南周口466000) 摘 要:简单回顾了电力电子技术及电力电子器件的发展过程，介绍了IGBT，IGCT，IPEM等主流现代电力 电子器件的工作原理、现状和发展动态，探讨了新型材料电力电子器件及其发展方向. 关键词:电力电子器件;绝缘栅晶体管 ;晶闸管 ;破化硅 中图分类号:TM4 文献标识码:A 文章编号:1671一9476(2oo7)02一0046一04 20世纪70年代后期以来，可关断晶闸管(GTO)、电 1 电力电子器件的问世 力晶闸管 (GTR)、功率场控晶体管 (功率、MOS- 电力电子技术的内容包括三个方面:电力电子 FET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶体管 器件，变流电路和控制电路.其中，电力电子器件又 (SIT)、静电感应晶闸管 (SITH)、MOS晶闸管 称开关器件，相当于信号电路中的A/D采样，称之 (MCT)等全控型器件不断问世，并得到迅速发展. 为功率采样.器件的工作过程就是能量过渡过程，其 可靠性决定了装置和系统的可靠性.根据可控程度 2 电力电子器件的发展 可以把电力电子器件分为两类: 现代电力电子器件仍然在向大功率、易驱动和 (1)半控型器件— 第一代电力电子器件.1956 高频化方向发展.电力电子模块化是其向高功率密 年普通晶闸管问世.由于其功率处理能力的突破，于 度发展的重要一点.当前电力电子器件的主要发展 是以普通晶闸管为核心的、对电力处理的庞大分支 成果如下. 从电子技术中分离出来，形成了电力电子技术.此 2.ITGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)绝缘 后，晶闸管(SCR)的派生器件越来越多.到了20世 栅双极晶体管 纪70年代，已经派生了快速晶闸管、逆导晶闸管、双 TGBT是由MOsFET和晶体管技术结合而成 向晶闸管、不对称晶闸管等半控型器件.功率越来越 的复合型器件，是一种N沟道增强型场控复合器 大，性能日臻完善，技术趋于成熟.但是由于是半控 件.如图1所示.它将单极型和双极型的各自优点集 型器件，想关断这些器件必须另用电感、电容和辅助 于一身，扬长避短，使其特性更加优越，具有输人阻 电源组成的强迫换相电路，结果使得整机体积增大、 抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电 重量增加、效率降低、可靠性下降.此外，由于立足于 流大等优点.因此，IGBT将是促进高频电力电子技 分立式结构，工作效率难以提高;一般情况下低于 术发展的一种比较理想的基础元件，其可望用于直 400Hz，大大限制了它的应用范围.目前，国内生产 流电压为1500V的高压变流系统. 的电力电子器件仍以晶闸管为主. 目前，已经研制出的高功率沟槽栅结构 IGBT (2)全控型器件— 第二代电力电子器件.随着 (TrenchIGBT)模块是高耐压大电流IGBT通常采 关键技术的突破，各种高速、全控型的器件先后问 用的结构，它避免了大电流IGBT模块内部大量的 世.由早期的小功率、低频、半控型器件发展到了现 电极引线，提高了可靠性和减少了引线电感.其缺点 在的超大功率、高频、全控型器件.全控型器件可以 是芯片面积利用率下降.所以这种平板结构的高压 控制开通和关断，大大提高了开关控制的灵活性.自 大电流IGBT模块将