氧空位对Fe掺杂ZnO的铁磁性的影响.pdfVIP

第24卷第 12期 商 丘 师 范 学 院 学 报 V01．24 No．12 2o08年 12月 J0URNALOFSHANGQIUTEACHERSC0LLEGE Dec． 2008 氧空位对 Fe掺杂 Zno 的铁磁性的影响 侯登录，赵瑞斌 (河北师范大学 物理科学与信息工程学院，河北 石家庄 050016) 摘 要：利用反应磁控溅射法在 基地生长zn一Fe0(=0．04，0．06，O．08，0．10，O．12)薄膜．x射线衍射结 果表明所有样品都具有纤锌矿结构，且c轴择优取向．x射线光电子能谱显示薄膜中的Fe离子为+2价态．磁力显 微镜结果表明薄膜具有明显的磁畴花样．磁性测量表明所有在真空下退火的样品都具有室温铁磁性而空气下退火 样品具有顺磁性．薄膜中的铁磁性与氧空位有关． 关键词 ：稀磁半导体；zn0；铁磁性；氧空位 中图分类号：0469 文献标识码 ：A 文章编号：1672—3600(2008)12—00O1—06 hInuenceOfoxygenVacancyOntheferrOmagnetism in FedOpedZno mms HOU Deng—lu，ZHA0 Rui_hin (CoUegeofPhysicsandInf0nnationEnneering，HebeiNoHI1alUniversity，Shijiazhuang050016，China) Abstract：Zn1 一 FeO (=0．04，0．06，O．08，0．10，0．12)thin lmsweregr0wn0nSisubstratesusing actiVe magnetronsputtering．X —ray—diff_ractionanalysesshow thatthesampleshavewurtzitestmctureswiththec—axis 0rientation．X —rayphot0electIl(】n spectr0sopyresultsindicatethatthe Feionsarein a +2 chargestatein the lms．Clearmagneticdomainsareobserved．Magnetizationmeasurementsindicatethatroom temperatureferr0mag- netism ispresentinfi1msannealedinvacuum whilefilmsannealedinairwereparamagnetic．Thero0m temperature feⅡomagnetism isrelatedtooxygenvacanciesinthesefilms KeywOrds：DMS；ZnO； rmmagnetism；oxygenvacancy O 引 言 氧化物基稀磁半导体 由于其在 自旋电子学领域的潜在应用，最近已经引起了人们广泛的关注 ¨’．Di- etal等人使用 zener模型从理论上预言过渡金属掺杂的p型znO，GaN居里温度可能高于室温 ．同时，sato 等人也从理论上预言Mn，Fe，co，和Ni掺杂 znO的铁磁态是稳定的 J．因此，大量的课题组全面开展过渡 金属掺杂 zn0稀磁半导体的实验研究．最近，一些课题组成功地观察到了Fe掺杂 zn0具有室温铁磁 性_5．然而，由于在稀磁半导体中自旋有序性强烈地与依赖于样品的制备条件，Fe掺杂 zn0的铁磁性的起 源具有很大争议性r7’ ．因此，有必要制备掺杂离子均匀稀释的znO半导体，以考察铁磁性的起源． ． 最近，理论计算表明氧空位对改变母体氧化物的能带结构和氧化物半导体的铁磁性起着重要贡献 ． 实验上，Hong等人推断氧空位产生了Fe掺杂 znO的铁磁性 ¨．相反，Ka珊akar等人利用 abinito方法计算 得到zn空位对稳定Fe掺杂 zn0的铁磁有序非常有效 ¨．为了验证这些观点，我们系统地考察了磁控溅射 法制备的Fe掺杂 znO的结构，形貌，和磁学性质． 收稿 日期 ：2008—06—02 基金项 目：