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第六章 半导体器件的基本特性 ·73 · 第二篇 模拟电子技术基础 【本篇介绍】 该篇介绍模拟电子技术基础的基本概念、基本理论、基本分析方法。通过该部分的 学习，使学习者掌握半导体器件的构成原理，分析模拟电子电路的基本组成方法，特别 是放大电路的工作原理，为今后学习和工作打下基础。 第六章 半导体器件的基本特性 6.1 教学目标 让学生掌握半导体基础知识，了解半导体二极管、晶体管的结构，理解 PN 结的单 向导电特性，理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数，理解晶体管的电流放大作 用，为学习后面各章打下基础。 6.2 教学内容 1.了解半导体的特性和导电方式，理解PN 结的单向导电特性。 2. 了解半导体二极管、晶体管的结构。 3.理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。 4.理解晶体管的电流放大作用、输入和输出特性及其主要参数。 6.3 重点、难点指导 本章重点： （1）PN 结的工作原理。 （2 ）二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。 （3 ）晶体管的电流放大作用、输入和输出特性及其主要参数。 本章难点： （1）半导体二极管的限幅、钳位等作用。 （2 ）晶体管的电流分配与电流放大作用。 6.3.1 PN 结 1.半导体的导电特征 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。纯净的半导体称为本征半导体，其导电 能力在不同的条件下有着显著的差异。本征半导体在温度升高或受光照射时产生激发， 形成自由电子和空穴，使载流子数目增多，导电能力增强。 杂质半导体是在本征半导体中掺入杂质元素形成的，有 N 型半导体和 P 型半导体两 种类型。N 型半导体是在本征半导体中掺入五价元素形成的，自由电子为多数载流子， 空穴为少数载流子。P 型半导体是在本征半导体中掺入三价元素形成的，空穴为多数载 73 ·74 · 第一篇 电路分析基础 流子，自由电子为少数载流子。杂质半导体的导电能力比本征半导体强得多。 2. PN 结及其单向导电性 在同一硅片两边分别形成 N 型半导体和 P 型半导体，交界面处就形成了 PN 结。PN 结的形成是多数载流子扩散和少数载流子漂移的结果。PN 结具有单向导电性： PN 结加 正向电压（P 区接电源正极，N 区接电源负极）时，正向电阻很小，PN 结导通，可以形 成较大的正向电流。PN 结加反向电压（P 区接电源负极，N 区接电源正极）时，反向电 阻很大，PN 结截止，反向电流基本为零。 6.3.2 半导体二极管 在 PN 结的两端各引出一个电极便构成了半导体二极管。由 P 区引出的电极称为阳 极或正极，由 N 区引出的电极称为阴极或负极。二极管的核心实质是一个 PN 结。 1. 二极管的伏安特性 （1）正向特性。正向电压小于死区电压（硅管约为0.5 Ｖ，锗管约为0.1 Ｖ）时二极管 截止，电流几乎为零。正向电压大于死区电压后二极管导通，电流较大。导通后的二极 管端电压变化很小，基本上是一个常量，硅管约为 0.7 Ｖ，锗管约为0.2 Ｖ。 (2 ）反向特性。反向电压在一定范围内时二极管截止，电流几乎为零。反向电压增大 到反向击穿电压 U 时，反向电流突然增大，二极管击穿，失去单向导电性。 BR 2.二极管的主要参数 （1）最大整流电流IOM 。指二极管长期使用时允许通过的最大正向平均电流。 (2 ）反向工作峰值电压 U 。指二极管使用时允许加的最大反向电压。 DRM (3 ）反向峰值电流IRM 。指二极管加上反向峰值电压时的反向电流值。 (4 ）最高工作频率f M 。指二极管所能承受的外施电压的最高频率。 二极管在电路中主要用于整流、限幅、钳位等。整流是将输入的交流电压变换为单 方向脉动的直流电压，限幅是将输出电压限制在某一数值以内，钳位是将输出电压限制 在某一特定的数值上。 3. 特殊二极管 （1）稳压管。稳压管的反向击穿特性曲线比普通二极管陡，正常工作时处于反向击穿区， 且在外加反向电压撤除后又能恢复正常。稳压管工作在反向击穿区时，电流虽然在很大 范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小，所以能起稳定电压的作用。如果稳压管的 反向电流超过允许值，将会因过热而损坏，所以与稳压管配合的限流电阻要适当，才能