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西安理工大学学报 (2002) . 18 . 2
144 Journal of X i’an U niversity of T echno logy V o l N o
文章编号: (2002)
金属氧化物半导体气敏机理探析
田敬民, 李守智
(西安理工大学 自动化与信息工程学院, 陕西 西安 710048)
摘要: 讨论了金属氧化物半导体表面的气气、气固反应及其相应的电子过程, 建立了分析
气敏作用机理的理论模型, 并提出了改进传感器性能的指导性意见。
关键词: 气敏传感器; 金属氧化物半导体; 晶粒势垒
中图分类号: TN 304. 92 文献标识码: A
-
Ga s Sen sing M echan ism s in M eta l Ox ide Sem iconductor
,
T IAN J ing m in L I Shou zh i
( , 710048, )
X i’an U niversity of T echno logy X i’an Ch ina
:
Abstract T he reaction s of gas gas and gas so lid on the su rface of m etal ox ide sem iconduc
. ,
to r and reactive electron ic p rocesses are discu ssed in th is paper A lso the theo retical m odel
fo r analysiing gas sen sitive m echan ism is estab lished, and som e gu iding suggestion s fo r im
p roving perfoum ances of gas sen so r are p rovided in th is paper.
: ; ;
Key words gas sen so r m etal ox ide sem iconducto r grain boundary
与元素半导体、化合物半导体和有机半导体相比, 金属氧化物半导体已成功地用于制备检测多种
气体, 如 、 、 、 、 、 、水蒸气等不同等级的商用传感器。与此同时, 致力于借助催化
CO CO 2 H 2 N H 3 SO X NO X
剂和其它方法调制表面化学性质以改善传感器选择性、灵敏度和响应特性的研究工作正方兴未艾。然
而, 金属氧化物半导体气敏传感器的工作机理由于气敏效应较复杂还有待深入探索。本文讨论了金属
氧化物半导体表面气气、气固反应过程, 建立了分析气敏作用机理的理论模型。
1 晶粒表面吸附
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