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第四章 光源和光电检测器 4.1 半导体的能带理论 4.2 PN结的能带结构 4.3 同质结和异质结 4.4 发光二极管的工作原理 4.5 半导体激光器的工作原理 4.6 LD的工作特性 4.7 光电检测器的工作原理和主要要求 4.8 PIN和APD的工作原理 4.9光电检测器的工作特性 4.1 半导体的能带理论 1、晶体的能带 晶体的能谱在原子能级的基础上按共有化运动的不同而分裂成若干组。每组中能级彼此靠得很近，组成有一定宽度的带，称为能带。 锗、硅和CaAs等都是共价晶体。形成共价键的价电子所占据的能带称为价带。 价带下面的能带是被电子占满了，称为满带。 价带上面的能带称为导带。 价带和导带，价带和满带之间的宽度，不能被电子占据因此称为禁带。 原子的电离以及电子与空穴的复合发光等过程，主要发生在价带和导带之间。 2、费米－狄拉克统计 电子是费米子(自旋量子数为1/2)，符合泡里不相容原理。电子在各能级中的分布，服从费米－狄拉克统计。 费米能级不是一个可以被电子占据的实在的能级，它是反映电子在各能级中分布情况的参量，具有能级的量纲。 3、各种半导体中电子的统计分布 根据费米分布规律，可以画出各种半导体中电子的统计分布。如图4-1-4所示 4.2 PN结的能带结构 1、PN结的形成 当P型半导体和N型半导体形成PN结时，载流子的浓度差引起扩散运动，P区的