半导体第十三讲工艺集成.pptVIP

2、装（粘）片 装片就是把芯片装配到管壳底座或框架上去。 常用的方法有树脂粘接、共晶焊接、铅锡合金焊等。 焊引线 为了使芯片能与外界传送及接收信号，就必须在芯片的接触电极与框架的引脚之间，一个一个对应地用键合线连接起来，这个过程叫键合。 4、封装 陶瓷封装、塑料封装 5、性能测试 电性能测试 6、打印包装 打印型号商标、厂家 包装MOS电路需要屏蔽导电塑料 * * * * * * * * * * * * 5、退火，干法去胶、清洗，放入退火炉 1、裸露的硅片表面生产了一层新的阻挡氧化层 2、高温使得杂质向硅中移动 3、注入引起的损伤得到修复 4、杂质原子与硅原子间的共价键被激活，使得杂质原子成为晶格结构中的一部分 p-well Formation 1、第二层掩膜，p阱注入 2、p阱高能注入，p阱倒掺杂注入离子的能量明显低于n阱。主要取决于注入成分的质量显著不同。B的注入能量为P的1/3 3、退火 2、浅槽隔离工艺 STI Trench Etch 1、隔离氧化层，保护有源区在去掉氮化物的过程中，免受化学污染 2、氮化物淀积（掩膜有助于在STI氧化物淀积过程中保护有源区，CMP过程中充当阻挡材料） 3、第三层掩膜，浅槽隔离 4、STI槽刻蚀 STI Oxide Fill 1、沟槽衬垫氧化硅，清洗后热氧150A的氧化层，改善硅与沟槽填充氧化物之间的界面特性 2、沟槽CVD氧化物填充：低压化