常用半导体器件器件.ppt

第一章 常用半导体材料均为四价元素。 N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子。 P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。 在P型半导体和N型半导体的交界处形成的空间电荷区 在P型半导体和N型半导体的交界处形成的空间电荷区 1、PN结正向偏置 2、PN结反向偏置 四、PN结的电流方程 PN结的伏安特性曲线 三极管在结构上的两个特点： (1)掺杂浓度：发射区>>集电区>>基区； (2)基区必须很薄。 温度每升高10oC，ICBO增加约一倍 2. 工作原理 3. 特性曲线 (1)输出特性曲线 输出特性曲线用来描述UGS取一定值时，电流iD和电压UDS间的关系，即它反映了漏-源电压UDS对iD的影响。 　　　5．场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将减小很多。 　　　6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 　　　7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。 （2）转移特性曲线 它反映了栅-源电压UGS对iD的控制作用。 (3). 低频跨导gm MOS管 一、 N沟道增强型MOS管的结构 1.4.2 金属-氧化物-半导体场效应管 N沟道增强型MOS管的工作原理 1．uGS对iD及沟道的控制作用 uGS对iD及沟道的控制作用 2．uDS对iD的影响 4. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例1：二极管半波整流 1.2.4 应用举例 ui π 2π 3π 4π t w o uo（io） π 2π 3π 4π t w o iD π 2π 3π 4π t w o iD1 iD3 iD2 iD4 uo + _ u + _ RL D4 D2 D1 D3 io A B 二极管的应用举例2：二极管全波整流 二极管的应用举例3：限幅电路： 如下图，设vi(t)=3sinωt + - 1.2.5 稳压二极管 专门工作于反向击穿状态的二极管→稳压管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 UZ U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 1.2.5 稳压二极管 （4）稳定电流IZ、最大、 最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗 1、稳压二极管的参数: （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） (3) 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 2、稳压二极管的应用举例 uo iZ DZ R iL i ui RL 已知: 负载电阻 。 要求当输入电压由正常值发?20%波动时，负载电压基本不变。 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。 ——方程1 uo iZ DZ R iL i ui RL 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2，可解得： 1、 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 1.2.6 其他类型的二极管 2、 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 请问：以下知识点你掌握了吗？ 1. 二极管的死区电压是多少？导通电压呢？ 2.理想二极管可以如何等效？ 3.二极管应用在那些方面？ 4.稳压二极管利用了PN结的什么特性？ 5.稳压二极管使用时应注意哪些问题？ 6.发光二极管有什么特性？光电二极管呢？ 返回本章首页 集电结 发射结 NPN型 C P N N E B 发射区 集电区 基区 基极 发射极 集电极 B E T C NPN 1.3 双极型晶体管 1.3.1 结构及类型 PNP型 N P P E B 基区 发射结 集电结 集电区 发射区 集电极 C 发射极 基极 B E T C PNP 公共端 晶体管具有电流放大作用的外 部条件： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 共发射极放大电路 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 RC B C E