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一种高精度单斜率AD及其单片机实现 摘要：介绍了一种利用MSP430 F1121单片机构成的采用类似于Σ-Δ技术的高精度的单斜率AD。分析了工作原理和参数计算。提供了分辨率，精度，线性度，稳定性等性能的测试结果，并讨论了它们的影响因素和应用。 关键词：MSP430单片机 单斜率AD 一 引言 AD转换最常用的方法是逐次逼近法（SAR），转换时间固定且快速是其最大特点，但要明显提高分辩率有一定困难。积分型AD有较强的抗干扰能力，但转换时间较长。而过采样Σ-ΔA/D由于其高分辩率，高线性度及低成本的特点正得到越来越多的应用。TI公司的MSP430F1121单片机内带有一个模拟比较器，因此，只须外接一只电阻和电容即可构成一个类似于Σ-Δ技术的高精度单斜率AD。 图2-1 测量电路图 二 测量电路及过程 MSP430于F1121是16位RISC结构的FLASH型单片机。有14个双向I/O口并兼有中断功能。一个16位定时器，兼有计数和定时功能。一个模拟电压比较器。 测量电路如图2-1所示。 MSP430F1121工作电压为1.8-3.6V。I/O口输出高电平时电压接近Vcc，低电平时接近Vss，因此，一个I/O口可以看作一位DAC，具有PWM功能。测量时P2.4引脚接被测电压。P2.0口输出一串占空比为50%，脉宽为Tp的脉冲。当电容充电到Vout=Vin时，比较器输出将翻转，这一过程称为预充电。此后为维持Vout=Vin，P2.0继续输出脉冲。程序开始对总的输出脉冲数N和输出为高的脉冲数n进行计数。P2.0口根据比较器的输出状态来决定是输出高还是低电平，如果比较器输出为低，表示VoutVin，则P2.0口输出为高，反之，输出为低。当输出N个脉冲后停止计数，则此时高脉冲数n与被测电压Vin成正比。即以Vcc（这里为3.0V）对应于N（这里为3000）个脉冲，如果n为1500，则Vin=1/2Vcc，即Vin为1.5V，相应地，每个高脉冲代表1mV ，这样可以用于比例式测量和绝对值测量。 三 原理分析 经预充电后，Vout=Vin，此后P2.0在电容C上反复充放电，虽然电容充放电是非线性的，但由于充放电幅度极小，只要满足RCTp，则在一定精度内可以认为充放电过程是线性的。其波形如图3-1。 图 3-1 电容充放电过程示意图 图中虚线表示总的脉冲，实线是输出为高的脉冲，如果把相邻的高电平和相邻的低电平看成为一个脉冲，分别为TH1，TL1，TH2，TL2…虽然TH1=TH2=…和TL1=TL2=…不一定成立，但从总体效果来看，可以认为它们是等宽的。那么，n个高电平和N-n个低电平成了m个大脉冲。其中，TH=n/m*Tp,TL=(N-n)*Tp/m. 充电时，Vmax=Vcc+[Umin-Vcc]*exp（-TH/RC） 放电时，Umin=Umax*exp（-TL/RC） 由上两式得： Umax（1-exp（-（TH+TL）/RC）=Vcc（1-exp（-TH/RC）） 在一定的误差范围内有Umax=Vin，则： Vin（1-exp（-（TH+TL）/RC）=Vcc（1-exp（-TL/RC）） 在（TH+TL）/T1时，指数项用泰勒级数展开后，得： Vin*N/m=VCC*n/m 即Vin=n*VCC/N 五 参数计算 用Umax分别减去式2等式两边得： DU=Umax-Umin=Umax（1-exp（-TL/RC））Vcc（1-exp（-TL/RC）〈〈Vcc（1-exp（-TP/RC） 图6-1 程序框图 如果DU=+-1LSB，在N=3000，主频为3.5MHZ时，Tp为14个CPU周期，约3.9us,则RC=0.016 取R=470K，则C=0.035uF 六 软件设计 测量子程序框图如图6-1所示。 P2.0输出的脉冲宽度由程序中输出高或低电平的运行时间决定，因此应尽量缩短这段程序的执行时间，另外，P2.0输出必须为对称的方波，如果程序中输出为高或为低的时间不一样，将会造成很大的误差。 程序中必须先设定一个总的采样时间N，它也决定了分辨率，执行一次测量子程序只运行N/2的时间，因此，必须调用两次，把两次的高电平个数相加才为n。.578545Hz时，一个Tp（即P20口输出一个高或低电平）的时间为14个CPU周期，约为1/3578545=3.9us,则N=4096时一次测量的时间为16ms, 如果N=65535，则一次测量的时间为256ms,这还不包括预充电时间，不是连续测量，则应考虑预充电时间。 精度：是实际测量结果和真实值之间的最大误差。真实值用分辩率为24位的高精度测量仪测量的结果代替，实际测量结果为五次测量的平均。 稳定性：在0-3V之间均匀取15个测量点，每个点在5秒钟内测量5次（液晶显示上读取5个测量值），取它们的