分析阻尼电阻对自积分罗氏线圈的影响外文翻译.doc

分析阻尼电阻对自积分罗氏线圈的影响 本文中这种自积分的罗氏线圈被研究用于精确测量高脉冲电流。通常情况下，罗氏分布式参数线圈产生有害的高频谐振信号寄生于有用的线圈电路的信号中。阻尼电阻可以用来消除寄生信号的谐波部分。在本文中，对阻尼电阻对Rogowski线圈的输出信号的阻尼效应进行了详细研究。根据电路理论，近似罗氏线圈与集总参数电路方程简化提出。对线圈的响应信号进行了分析和如何用合理的方法选择阻尼电阻。当使用50欧姆阻尼电阻，阻尼寄生共振信号的幅值已比没有任何阻尼电阻的情况下减弱了5.7倍。?PSPICE电路模拟结果对应理论计算结果。一个标准的10 ns的方波脉冲之前已被用于校准线圈信号，之后在线圈上焊接阻尼电阻，实验结果表明，磁芯线圈的响应时间是1.1?ns和寄生在线圈信号共振信号几乎被消除。线圈可以准确检测高脉冲电流在KA等级范围内。（一）介绍 在脉冲功率技术领域，精确测量NS/?KA等级范围内的高脉冲电流是重要的课题[1-5]。常见的低精度探测器或传感器由于他们的劣质反应能力而无法做好这项工作。然而，快速反应的罗氏线圈却能够胜任这样的工作[5]。?Rogowski线圈是一种电流传感器其中包括一个敏感的采样电阻和导线围绕一个磁芯的线圈。传感器响应外部脉冲电流源遵循法拉第定律。在测试中，外部电流源应通过线圈的中心。 通常有两种Rogowski线圈，包括外积分型[6-9]和自积分型[10-12]。外面的积分线圈需要额外集成重建线圈信号。但是，它可以线圈信号和测量带来的失真也变得复杂。如果自积分型线圈的条件是满意的，自积分型Rogowski线圈是多少比外积分型的类型简单[10-12]。为了匹配线圈自积分条件，转弯线圈绕组的数量是大的。?ferkovic等人已经生产了一种自积分Rogowski线圈它有1110匝以便增加线圈电感并且它的核心由非磁性材料制成[12]。然而，大匝数导致相邻匝之间的差距很小。因此，相邻匝间增加的分布电容增加了所以这对线圈信号产生了有害影响[1,13-15]。此外，线圈和其接地金属屏蔽罩也形成另一种分布式电容[7-9,15]。所有的分布式电容和杂散电感线圈可以产生有害谐振元件寄生在真实的线圈的反应信号中。因此，坏的线圈输出信号出现多拍，谐振脉冲在顶部，较长的响应时间和大的背部波动[16,17]。然而，参照[6-15]，寄生共振机制尚未分析并且还没有方法被提出了以解决这个问题。休森等人已经生产了一种Rogowski线圈它封装在一个屏幕中，可以消除不必要的由接地分布电容造成的静电干扰[17]。?众所周知，电阻可以改变衰减因子谐振电路，使谐振信号衰减。然而，极少数文件介绍这种方法来提高线圈的响应信号，并且这种Rogowski线圈的阻尼机制，也容易被研究人员所忽视。 在本文中，采用磁芯构造一个自积分Rogowski线圈。由于磁芯高频率，在很大程度上提高了线圈响应的能力，只有几十个线圈匝数的电感需要匹配的自积分的条件。因此，分布式电容变得更小和寄生共振机制被削弱。阻尼电阻产生了线圈电路在的线圈绕组和地面之间，以便削弱不必要的共振分量信号。然而，极少数论文研究了在平行的阻尼方法在本文中被提出。阻尼电阻对脉冲磁芯Rogowski线圈的响应通过电路理论，PSPICE仿真和实验被详细的分析。实验结果表明，在平行的阻尼方法，提高了波形线圈的输出信号。目前，这种磁芯Rogowski线圈在我们的实验室中已被用于准确检测在KA等级范围内的高脉冲电流。这种方法可以应用在所有类型的Rogowski线圈和电流传感器中。 （二）磁芯Rogowski线圈的结构和原理 2.1罗氏线圈的几何参数和集中参数 自积分无磁芯Rogowski线圈典型结构如图?1。是需要来测量的电流源。这种线圈由非磁芯，线圈绕组，采样电阻和外部金属屏蔽组成。通常是金属屏蔽接地。代表两个相邻的线圈匝数的分布电容，代表线圈匝数和接地金属屏蔽之间的分布电容[10-17]。?，和代表分布式电阻和线圈电感。当然，这些分布参数，形成了一个复杂的电路网如图?1所示。分析这些分布式参数对输出线圈信号的的影响是非常困难的。为了从电路网得到有用的信息，研究人员提出了一些近似简化。因此，集总参数，，和被分别用来代表线圈匝数之间的分布电容，接地分布电容，分布电阻和电感线圈[10-17]。因此，线圈的等效电路如图?1，和的寄生电感线圈的采样电阻。 然而，在图1中有许多额外的参数也许会对线圈信号输出波形上有强大的影响，如取样电阻的寄生电感（），接地电容?，线圈匝数之间的集总电容。一般来说，影响可以忽略不计，通常是非常小（<0.1 ??pF的）[16]。但多余的的寄生谐振信号产生和可以使的输出线圈信号变形。因此，较大振荡幅值出现在信号的前边缘，平顶和后边缘。从而导致测量结果精度降低。我们可以