CuO薄膜的电化学制备及EPIR效应.pdfVIP

第２８卷第２期 平顶山学院学报 Ｖｏｌ．２８Ｎｏ．２ 　　　　　　　　　　　　　 ２０１３年４月 　　　　　　　　　　　　　 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＰｉｎｇｄｉｎｇｓｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ａｐｒ．２０１３ ＣｕＯ薄膜的电化学制备及ＥＰＩＲ效应 ２ 罗昌俊，阚芝兰，杨昌平，刘国珍，王瑞龙 （湖北大学物理学与电子技术学院，湖北武汉４３００６２） 摘　　　要：以ＦＴＯ玻片为基底，在不同 ｐＨ值下采用恒电位电化学沉积法制备了 ＣｕＯ薄膜样品和Ｃｕ／ ２ ＣｕＯ／Ｃｕ／ＦＴＯ器件．通过ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＤＳ对样品的相组成、晶体结构、微观形貌和化学成分进行了表征和分析， ２ 并对Ｃｕ／ＣｕＯ／Ｃｕ／ＦＴＯ器件的电脉冲诱导电阻转变（ＥＰＩＲ）效应进行了测量．结果表明室温下Ｃｕ／ＣｕＯ／Ｃｕ／ ２ ２ ＦＴＯ中存在明显的ＥＰＩＲ效应和忆阻器行为且与溶液酸碱性有关．在酸性和中性条件下，即ｐＨ＝５、６、７时，Ｃｕ／ ＣｕＯ／Ｃｕ／ＦＴＯ存在显著的ＥＰＩＲ效应，随着ｐＨ值的增加效应趋于减弱，当脉冲电压为６Ｖ，脉冲宽度为０．００１ｓ ２ 时，样品具有最大ＥＰＩＲ值．随ｐＨ进一步增加，在ｐＨ＝８、９、１０的碱性条件下，Ｃｕ／ＣｕＯ／Ｃｕ／ＦＴＯ的ＥＰＩＲ效应消 ２ 失． 关　键　词：ＣｕＯ；电化学沉积；界面效应；电脉冲诱导电阻转变；忆阻器 ２ 中图分类号：Ｏ４４１．６　　　　文献标识码：Ａ　　　　文章编号：１６７３－１６７０（２０１３）０２－００５２－０５ 入研究． ０　引言 ＥＰＩＲ效应及忆阻器行为除了在钙钛矿结构氧化 电阻式随机存储器（ＲＲＡＭ）是一种基于阻值高 物中出现之外，在一些简单的二元过渡族金属氧化物 低变化记录、存储数据信息的非易失性存储器件．近 中，如 ＮｉＯ，ＴｉＯ，ＮｂＯ，ＺｎＯ和 ＣｕＯ中也被观察 ２ ２ ５ ２ 年来，由于高密度、高速度和低功耗的特点，ＲＲＡＭ在 到［９－１４］．ＣｕＯ是一种性能稳定、环境友好型半导体， ２ 存储器的发展中占据着重要地位，成为当前信息存储 禁带宽为１．９～２．２ｅＶ．纳米尺寸的ＣｕＯ具有优异的 ２ 材料和器件的研究热点．２０００年Ｌｉｕ等人在ＰＣＭＯ中 光学、电学和光催化性质，并在室温下存在显著的 发现钙钛矿结构 Ｍｎ氧化物具有ＥＰＩＲ效应，即室温 ＥＰＩＲ效应．但目前对 ＣｕＯ有关的ＥＰＩＲ效应产生机 ２ 下ＰＣＭＯ电阻值可随脉冲电场极性变化的现象．当加 理和影响因素还不清楚．笔者采用电化学沉积方法在 载正向脉冲电场之后，其电阻值置于低阻态，并可以 不同ｐＨ值下制备了 ＣｕＯ薄膜，发