复合绝缘子的5000h多因素试验及长期性能评价 5 000 h Multi-stress Test Procedure for Silicone Rubber Composite Insulators and Its Applications in Long-term Performance Evaluation.pdfVIP

复合绝缘子的5000h多因素试验及长期性能评价 5 000 h Multi-stress Test Procedure for Silicone Rubber Composite Insulators and Its Applications in Long-term Performance Evaluation.pdf

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高电压技术 第 38卷 第 1O期 2012年 1O月 31日 2492 HighVoltageEngineering,Vo1.38,No.10,October31,2012 复合绝缘子的5000h多因素试验及长期性能评价 梁曦东 ,张轶博 ,殷 禹 ,李震字。 (1.清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真 国家重点实验室,北京100084; 2.中国电力科 学研究院,北京 100192;3.国家电网公司,北京 100031) 摘 要 :随着特高压复合绝缘子 的大规模应用和超高压复合绝缘子运行年限的不断增长 ,复合绝缘子 的现场老化 问题与长期性能评价方法成为亟待研究的问题 。为此 ,根据对现场运行条件下硅橡胶复合绝缘子积污和憎水性变 化过程的研究,在 IEC多因素试验方法的基础上 ,加入了硅藻土污秽成分并调整了老化 因素的时间安排 ,提出了复 合绝缘子的 “清华 5000h多因素试验方法 ”。在该试验方法下进行 了5轮次的5000h多因素老化试验后 ,成功模 拟 了复合绝缘子表面污秽积累过程和表面憎水性的丧失与恢复过程 ,重现了不 同复合绝缘子憎水性下降、起痕与 电蚀损、过流跳 闸等现场老化失效模式。不同配方和配置的复合绝缘子 的老化结果表 明,硅橡胶复合绝缘子需要 同时达到耐起痕和蚀损性能强、憎水性 良好、爬 电比距足够的要求 ,才能保证其在正常运行条件下的长期可靠性。 关键词 :硅橡胶 ;复合绝缘子 ;积污 ;老化 ;长期性能;污秽试验 ;憎水性 ;多因素试验 D0I:10.3969/j.issn.1003—6520.2012.10.002 文章编号 :1003—6520(2012)10—2492—07 5000hM ulti-stressTestProcedureforSiliconeRubberCompositeInsulators and ItsApplicationsinLong—term PerformanceEvaluation LIANG Xidong ,ZHANG Yibo ,YIN Yu。,LIZhenyu。 (1.StateKeyLaboratoryofControlandSimulationofPowerSystemsandGenerationEquipments。 DepartmentofElectricalEngineering,TsinghuaUniversity, Beijing100084,China;2.ChinaElectricPowerResearchInstitute,Beijing100192,China; 3.StateGridCorporationofChina,Beijing100031,China) Abstract:W ith increasingapplicationsofUHV andEHV siliconerubbercompositeinsulatorsinChina。agingproblem and long-term performanceevaluationofsiliconerubberinsulators(SR insulators)becomeurgentissuestobestudied.We discusseddynamiccontaminationandhydrophobicitychangingprocessinservicecondition,andproposedanoptimal5000h multi-stresstestmethod,THU 5000 h testprocedure,basedon propermodificationsmadetO theIEC 5000 h test method.Weconductedfivetestsunderthenew procedure。inwhichthepollutionandhydrophobicitychangingprocesses weresimulatedsuccessfully,and revealedt

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