低维硫属化物晶体的合成研究进展.pdfVIP

第 7卷第 2期 功能材料与器件学报 VDl7．No2 2001年 6月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES June，2001 文章编号：1007—4252(2001)02—0211—05 低维硫属化物晶体的合成研究进展 董言治，安永林，辛 剑 (大连理工大学无机化学教研室288#，大连 I16023) 摘要 ：金属硫属化物是指含有ⅥA族S2一、Se 、 元素的化台物，它们在半导体领域、配位化学、 固体化学及红外探测设备中具有刁=可替代的重要性 这类化台物主要包括Ⅱ一Ⅵ族和Ⅳ一Ⅵ族 化台物半导体 以及多元金属硫属化物(尤其是过渡金属硫化物)，其台成几乎涉及所有的晶体生长 方法。如：薄膜生长法、高温台成方法、电化学方法、溶剂热合成等。本文综述了低维硫属化物几种 合成方法的优缺点及其新进展。 关键词：低维硫属化物；溶荆热； 电化学方法；高温合成 中国分类号：TN304．2 文献标识码：A Developmentoflow dimension chalcogenidescrystalssynthesis DONGYan—zhi．ANYong—lin，XINJian (DepartmentofChemistry，DafianUniversityofTechnoMgy，Dalian116023，China) Abstract：Thelow dimensionchalcogenidesareofindispensableimportanceinsemi—conductorfields， eoordinationchemistry，solidchemistryandinfrareddetectivedevices ThesecompoundsincludeII— VImain—gmupsemi—conducwrcompounds．1V —VImain—groupsemiconductorcompoundsand multi—metalchalcogenides(especiallytransitionraeta]ohalcogenides) Therecentdevelopmentsof synthesisoflow dimensionchalcogenidesuchashightemperature synthesis，eleetmchemicalsynthe— sis，solvothermalsynthesisandadvantagesanddisadvantagesofthesesynthesesisreviewed． Keywords：chaleogenides；electmchemistry；solvotherrnalsynflresis；hightemperaturesynthesis l 引言 晶体的结构、物理性质、嵌人化学和催化性能已有 低维硫属化合物的电子能带结构、电子与声子 不少报导 之间的相互作用以及由此引起的晶格不稳定性 、公 硫属化台物是指含有ⅥA族 s 、se 、Te一元 度和非公度相变以及各种各样的物理性质越来越受 素的化合物，现在的研究基本分为两个方向：一是半 到物理学家的重视 。而化学家更感兴趣的是低维 导体领域，即硫属化物半导体薄膜，主要包括 Ⅱ一Ⅵ 硫属晶体层状结构上的高度各向异性为研究可控的 族和Ⅳ～Ⅵ族化合物半导体；二是多元金属硫属化 固相反应和催化过程提供 了绝好 的基质材料 ，并 物，尤其是过渡金属硫属化物。在这类化合物中，由 对这一类化合物的催化性能、无机或有机嵌人化合 硫属化物晶体制得的新型固体材料，具有以链状或 物和电化学过程进行过大量的研究。有关低维硫属 片层状结构单元为主体的新的结构类型。它们通常 收稿 日期 2000—06—12：修订 日期：2000一10—09 作者简介 董言治(1