Ce掺杂的WO3薄膜的电学性质.pdfVIP

第44卷 第6期 西 南 交 通 大 学 学 报 V0I．44 No．6 2009年 12月 JOURNALOFSOUTHWESTJIAOTONGUNIVERSITY Dec．2009 文章编号：0258—2724(2009)06-0963-05 DOI：10．3969／j．issn．0258-2724．2009．06．028 Ce掺杂的WO3薄膜的电学性质 董 亮， 王 豫 ， 李德柱 ， 李统业， 严仲明 (西南交通大学超导研究开发中心 ，四川 成都610031) 摘 要：在磁控溅射仪上用直流Ce和w共同磁控溅射方法 ，在载玻片上沉积ce掺杂的WO 薄膜，以研究溅射 功率对该薄膜电学性质的影响．薄膜在550℃的空气中退火 1h，用x射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显 微结构．结果表明：Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长，有利于薄膜沿b轴方向生长；当ce和w的溅射功率分别为 40w 和 160W 时，薄膜的非线性系数最大，达到7．92． 关键词：ce掺杂；WO 薄膜；磁控溅射 ；显微结构 ；电学性质 中图分类号：TN304；TN305．92 文献标识码 ：A ElectricalPropertiesofCe-DopedW O3ThinFilm DONGLiang， WANG Yu， LIDezhu， LITongye， YAN Zhongming (Superc0nductivityResearchandDevelopmentCenter，SouthwestJiaotongUniversity，Chengdu610031，China) Abstract：Ce—doped WO3thin filmswerefabricated by DC reactive magnetron sputteringon glass substratesandannealed indryairat550 (℃ for1h．Theeffectsofsputteringpoweronelectrical propertiesofthefilmwereinvestigated．X—raydiffraction (XRD)andscanningelectronmicroscopy (SEM)analyseswereperformedtocharacterizethefilm．TheexperimentalresultsshowthatCe—doping causedWO3crystalstogrowalongthepreferredorientation (6-axis)withislandstructures，andthe film displayedthehighestnonlinearcoefficientof7．92whenthesputteringpowe~ ofrCeandW were 40W and 160W ．respectively． Keywords：Ce-doping；WO3thinfilm ；magnetronsputtering；microstructure；electricalproperty WO 在电致变色…、有毒气体探测 及光催化降解 等方面都有着广泛的应用．1994年，Makarov等 对WO 施以Na：CO，和MnO 掺杂 J，发现了显著的非线性伏安特性，使其在压敏电阻材料中的应用成为 可能．对于钨基氧化物材料，在 1～10mA／cm 范围内，非线性系数 Ot值可达 7左右，压敏电压很低，约 6～10V／mm．近年来，人们对WO 基陶瓷材料的电学行为做了大量的研究 。J．但是，与其它的变阻器材 料相比，WO 的非线性系数不高，伏安特性曲线的重复性不好 ，而且还存在严重的电学弛豫现象，很多电 学性质用以前非线性理论不能解释．在降低元件的厚度方面，由于WO 压敏薄膜比WO 陶瓷具有较大的 优势，因此，WO薄膜在开发小功率、低压压敏的电阻器方面具有极大的优势和潜力．研究表明_4 』，WO 薄膜样品材料具有 良好的非线性，并且适当的稀土掺杂，可 以有效的改变 WO 的压敏性能．因此，研究薄 膜稀土掺杂W