CuO掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的结构与性能.pdfVIP

第31卷第6期 压 电 与 声 光 Vo1．31No．6 2009年12月 PIEZOELECTRICS＆ ACOUSTOOPTICS Dec．2009 文章编号 ：1004—2474(2009)06—0888—04 CuO掺杂Ba0．6Sr0．4TiO3陶瓷的结构与性能 ． 李 真 ，胡国辛 ，吴 昌英 ，王 通 ，韦 高 ，高 峰 (1．西北工业大学 材料学 院，陕西 西安 710072；2．西北工业大学 电子信息学院，陕西 西安 710072) 摘 要 ：采用传统陶瓷制备工艺，以容差因子为依据进行 CuO掺杂 ，制备 了可在较低温度烧结成瓷的Ba0． Sr0．tTiO。(BSTO)基陶瓷。结果表明，w(CuO)一0．5 ～4．0 的BSTO基陶瓷可在 1200℃烧结成瓷，且不会引 入杂相。介电性能测试表明，在室温低频下，随CuO掺杂量的增加，BSTO陶瓷的介 电常数增加，而介 电损耗降低； 在微波频段下，BSTO基陶瓷的介 电常数和介 电损耗均随CuO掺杂量 的增加而增大。可调性测试表明，在 1kV／ mm 的直流偏压下，各 BSTO基陶瓷掺杂样 的可调性均大于 1O ，其中，试样 w(CuO)一1 的可调性达到 13．2 。 关键词 ：钛酸锶钡 ；低温烧结 ；介电性能 ；可调性 中图分类号：TN384 文献标识码 ：A EffectofCuO DopingonPropertiesofBa0 Sro TiO3Ceramics ． 6 ． 4 LIZhen ，HuGuo-xin ，WU Chang-ying~，WANG Tong ，WEIGao。，GAO Feng (1．SchoolofMaterialsScienceandEngineering，NorthwesternPolytechnicalUniversity，Xian710072，China； 2．SchoolofElectronicsandInformation，NorthwesternPolytechnicatUniversity，Xian710072，China) Abstract：AccordingtOthetolerancefactor，CuO dopedBao Sro 6 4TiO3(BST0)basedceramicswerepreparedby ． ． thetraditionalceramicprocessing．Theresultsshow thatBSTO basedceramicswith0．5 ～4．0 ofCuO doping couldbesinteredat1200℃ ，andnootherphasewasintroduced．Thedielectricproperitesmenasurementsindicated thatthedielectricconstantofBST0 ceramicincreasedandthedielectriclossdecreasedwith theincreasingofCu0 contentatroom temperatureandatlow frequency；butatmicrowavefrequencies，thedielectricconstantandthedie— lectriclossbothincreasedwiththecontentofCuO．ThetunabilitiesofalltheCu0 dopedBST0 samplesaremore