EDMOS的工艺和电性模拟.pdfVIP

： ChinaNew TechnologiesandProducts 高 新 技 术 EDMOS的工艺和电性模拟 李 丽 (无锡职业技术学院，江苏 无锡 214121) 摘 要：EDMOS晶体管广泛地用于半导体器件在很多领域 内，如高压MOS场效应管。EDMOS含有一个轻掺杂漏极区域来提升击穿 电压．正归功于它们的优越性，这类晶体管正作为功率器件在智能型功率集成电路领域快速地取代双极晶体管． 关键词 ：EDMOS；Tsu4；深亚米半导体制造 ；工艺和电性模拟TCAD 深亚米半导体制造因为构造和工艺而复 STI的制程中首先生长一层氮化硅 ，运用 杂。影响每个构成集成电路芯片的器件的电 DIFFUSION 和DEPOSIrI’语句，然后曝光显 学特性。例如，为了优化器件特性，在栅极二 Start 酗 imp 影得到想要的图案。实际的刻蚀工作 由 氧化硅和隧道长度上的改 良是绝对必要的， ● ETCH语句完成 ，在这里TRAPEZOI和 AN— 而且现在的电路集成度大都超过百万门，为 lhitialires．b'ucture t>、we11ann．e～al GLE决定槽的形状和角度。然后用湿法长二 了在制造工艺的众多参数和具体芯片上器件 ● 氧化硅。 的电学特性之间建立起联系，需要大量的工 IMeshger~erati。n D 作和努力。传统的方式是，在晶圆厂进行流片 ualgatepfOCC$$ 试验，这是很昂贵和耗时的。于是，半导体技 ininahzation 术的计算机辅助设计工具(TCAD)应运而生， $／D imp 使得”虚拟”的晶圆片制造成为可能。TCAD工 图4S11的形成过程 具 旨在用计算机模拟技术发展和优化半导体 I'T,WD 在DIFFUSION语句中，用WETO2定义 制程和器件。Synopsys公司正是众多模拟软 娶￡ ￡8搬 湿法 ，TEMP和 TIME设置温度和时间 ，T． 件公司其 中的杰 出代表 ，旗下的产 品有 RATE控制温度变化 的幅度 ，T．FINAL控制 lqwd 触 ncal Medici，Tsuprem4，TaurusWork—BenchfrWB)o 最终温度。最后的化学机械研磨CMP工艺用 本篇文章叙述 的是对 0．13微米工艺的一款