2014年度中国工程物理研究院.docVIP

2014年度中国工程物理研究院 太赫兹科学技术基金指南 中国工程物理研究院太赫兹科学技术研究中心 I、明确性研究课题 1、基于微纳结构的太赫兹波高速调制机理研究 1）需要研究解决的主要钛酸钛酸锶钡Mb/s；调制深度：50%。 2、电子回旋受激辐射中绝对不稳定性振荡的机理研究 1）需要研究解决的主要 3、雪崩倍增GaAs光电导太赫兹辐射机理研究 1）需要研究解决的主要科学问题THz光电导产生强THz电磁辐射问题：将强电场偏置下载流子的雪崩倍增机制引入的线性工作模式中，形成线性雪崩电导和相应的强THz辐射预期需要研究解决的主要 5、太赫兹层析成像理论分析及算法研究 1）需要研究解决的主要 II、鼓励性研究方向 1、基于化合物半导体的固态太赫兹物理与器件机理研究 围绕化合物半导体材料的固态太赫兹物理、器件与微系统，鼓励开展GaN基、InP基等固态太赫兹源、太赫兹功率放大器、太赫兹探测器的机理与关键技术研究，鼓励开展进一步提高固态太赫兹器件工作频率、功率、效率等瓶颈问题的物理本质和新机理研究，寻找新的技术途径和解决办法。 2、基于宽禁带半导体的高电压大电流固态器件与微系统机理研究 鼓励研究基于宽禁带半导体材料（如GaN、SiC等）的高电压大电流器件与系统在固态化、微纳集成中存在的机理和科学问题，鼓励开展材料物理特性与材料改性方法研究，鼓励开展新原理、新结构高电压大电流微纳器件的研究，