低温等离子体原子荧光光谱法直接测定固体样品中汞.docVIP

第一作者电话低温等离子体原子荧光光谱法直接测定固体样品中的汞 杨萌1，薛蛟1,2，李铭1,2，李佳1，黄秀1，邢志1* (1 清华大学化学系，北京，100084) （2 北京理工大学生命学院，北京，100081) 摘Low Temperature Plasma)与原子荧光光谱仪(Atomic?Fluorescence?Spectroscopy?)联用直接检测ABS固体样品中汞(Hg)的方法。此实验中采用介质阻挡放电（DBD）方式产生低温等离子体，剥蚀固体样品后产生的元素蒸汽引入到原子荧光光谱仪进行检测。所采用的优化条件包括DBD外接电源的放电功率为16～18w，放电气体流速为400 mL/min，采样距离为1～5 mm以及原子荧光光谱仪的原子化器高度为10 mm。本系统测定Hg的检出限为0.91mg/kg，线性范围为91.5～1096 mg/kg，精密度(RSD, n=7)为1.9%～2.3%，并对标准样品以及实际样品进行测定，测定结果与标准值与ICPMS及CVG-AFS一致，表明此方法可作为直接检测固体样品的新型元素分析技术。 关键词 低温等离子体；介质阻挡放电；汞；原子荧光 引言 汞广泛应用于电子、电器产品，但是汞是一种剧毒的重金属，其可通过呼吸道、皮肤或消化道等途径侵入人体，造成神经性中毒和深部组织病变[1]。由此,自2003年2月13日起，欧盟出台了“关于电子电器设备中某些有害物质的限制使用”的指令(即RoHS),规定了市场上销售的电子电器设备中汞所容许的最大限量[2]，所以对Acrylo-nitrile Butadiene Styrene copolymer (ABS)塑料中汞的含量的研究变得尤为重要。 近些年，分析ABS中重金属含量的方法主要包括微波消解氢化物发生原子荧光法微量元素检出限，样品 图1 低温等离子体-原子荧光光谱实验装置示意图 Fig. 1 Schematic diagram of the experiment setup of LTP-AFS 表1 AFS仪器主要工作参数 Table 1 Parameters of AFS 仪器参数Parameter 设定值Setting 灯电流Hollow cathode lamp current 30 mA 负高压High voltage of PMT 300 V 屏蔽气流速Shield gas flow rate 1000 mL/min 读数方式Read mode 峰面积 Peak area 原子化器高度Observation height 10 mm 2. 2 样品 采用ABS标准物质 GBW (E) 081634～081638(标识分别为 ABS-100，ABS-300，ABS-500，ABS-1000，ABS-1200)及其空白片(Φ40 mm×4 mm，中国计量科学研究院)。由于ABS标准样品表面清洁光滑规整，无需进行其他前处理。 2.3 实验方法 由DBD产生的低温等离子体直接作用于固体表面，剥蚀后产生元素蒸汽，由载气引入到原子荧光光谱仪进行检测。 3. 结果与讨论 3.1 放电过程对汞荧光信号的影响 在石英管外围电极加电压的情况下即可产生低温等离子体，其剥蚀ABS表面的程度大小直接影响汞荧光信号的强度，所以，这里主要讨论放电过程中各参数（放电与不放电、放电气体流速、放电功率）对汞荧光信号产生的影响。 3.1.1 放电与不放电对汞荧光信号的影响 为了证明低温等离子体是通过外加电压产生放电所形成的，本实验采用放电与不放电的两种模式探讨此过程对标准样品（GBW081638）中汞荧光信号的影响。如图1所示，在不给予外加电压不放电的情况下，检测不到汞的荧光信号。当给电极通外加电压时，出现了较强的汞荧光信号，并进行了5次平行检测，信号的重现性较好。这个过程说明样品中的汞是由介质阻挡放电产生的低温等离子体所剥蚀出来的。 图2放电与不放电对汞荧光信号的影响,样品选用GBW(E)081638 Fig.2 Effect of plasma on and off on mercury fluorescence signal intensity with sample of GBW(E)081638 3.1.2放电气体流速对汞荧光信号的影响 本实验所采用的DBD放电气体为氩气（Ar），Ar在大气压下易于产生低温等离子体。Ar的流速直接影响放电通道内低温等离子体的浓度，是决定低温等离子体剥蚀效率的重要因素，而低温等离子体的剥蚀效率由汞荧光信号直观体现。实验考查了不同氩气流速对原子荧光信号的影响，如图2所示，当气体流速达到400 mL/min时，荧光信号值达到最大。气体流速大于400 mL/min时，信号值明显减小，这可能是由于气体量