全耗尽S0IMOSFET器件总剂量抗辐射的研究论文.pdfVIP

第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 I 全耗尽S0MOSFET器件总剂量抗辐射的研究 王宁娟，刘忠立，李宁，于芳，李国花 (中国科学院半导体所，北京，100083) 摘要：本文主要研究了全耗尽SOIMOSFET的总剂量的抗辐射特性，特别是不同的偏置条件下器件对 总剂量的抗辐射的能力。着重分析了埋氧层以及在埋氧层顾硅界面处的电荷以及伴随的电场的产生与分布是 如何对全耗尽器件产生影响的。通过器件模拟发现，辐射过程中器件在不同的偏置条件下，其有源区和埋氧 层中产生不同的电场分布。而陷获电荷的产生与分布强烈地依赖电场，因此电场的不同分布必然造成陷获电 荷的不同，进而对器件的电学性能产生不同的影响．模拟结果表明，在本文所研究的三种不同偏置条件下， OFF态下背沟道处的陷获电荷密度最高，阈值电压的漂移器件的泄漏电流也最大。 关键词：SOI，全耗尽，总剂量辐射，器件模拟 由于SOI器件具有集成密度高，工作速度快，功耗低，良好的抗辐射性能等优点【l】，近些年来得 到了广泛的关注。特别是在高辐射强度的空间和军事等领域，SOI器件与传统的体硅器件相比，有着 明显的优势。根据SOI结构中顶硅薄膜厚度的不同，SOI又可以分为部分耗尽和全耗尽SOI。全耗尽 的抗辐射能力同体硅相比，并无特别优势。 由于全耗尽SOI器件的顶硅厚度一般在100nm以下，导致前栅晶体管和背栅晶体管在电学上的耦 合，因此其电学性能易于受到由辐射所产生的陷获电荷的影响。另外，器件受到辐射时处于不同的偏 置条件下，陷获电荷的产生是不同的，从而对器件的影响也是不同的。近年来，科研工作者对SOI器 件的抗总剂量辐射特性做了很多研究，这些工作集中在SOI衬底以及整体器件结构上的加固，或者影 响辐射加固的物理机制的分析上印’4l。在与辐射相关的物理问题中，最差偏置条件是近年来的热点之 一。其中对部分耗尽SOI器件最差偏置条件研究得比较深入，有大量定性的研究结果，并有了普遍的 结论[21；然而，全耗尽的最差偏置条件却非常复杂，很多问题还处于争论中，不同文章甚至给出了完 全相反的结果[2,31。 本文主要讨论不同偏置条件下，辐射所诱导出的陷获电荷与器件性能之间的关系。一般来说，辐 射会使埋氧层和前界面处诱导出大量的电荷，当这些电荷的密度足够高时，会造成背沟道反型。背沟 道反型会增大前栅晶体管的漏电流，同时降低前栅晶体管的阈值电压。本文用器件模拟的方法研究了 全耗尽器件在不同偏置条件下陷获电荷的产生与器件的电学特性之间的关系，希望通过本文的研究工 作探索出在抗总剂量方面的一些规律，为以后全耗尽SOI工艺和器件的设计与生产，奠定理论基础。 2辐射模拟的理论基础 辐射的模拟一般建立在数值求解经典的漂移扩散方程的基础上，为了体现辐射对器件电学性能的 影响，在传统的产生一复合理论的基础上，还要考虑由于辐射所引起的载流子的产生与复合。相关的 产生率G与复合率尺可以由以下的公式表达： GrG-R=D·go·J御 (1) 其中：Gr代表净的产生率；D是辐射的剂量率；90是初始的电子．空穴对的产生率；妖毋是电场的函数， 基本规律是电场越大，y(毋越大，极限是1。由于电子在硅中的迁移率较高，所以由辐射产生的电子和 王宁娟，刘忠立，李宁：全耗尽SOIMOSFET器件总剂量抗辐射的研究 空穴能在很短内的时间内复合，或者被电极所收集。但是空穴在氧化层中的迁移率比在单晶硅中低几 个数量级，SOI的埋氧层中存在着大量的空穴陷阱，这些空穴很快就被俘获住了，所以辐射会在埋氧 层中产生大量的陷获空穴。本文主要讨论在不同偏置条件下，器件电场的不同分布，以及这些电场如 何影响陷获电荷的产生与分布，从而进一步对器件电特性的影响。 3结果与讨论 根据已经发表的实验结果，我们取电子在氧化层中的迁移率为鳓=20cmev／s，空穴在氧化层中的 为了减小短沟道效应的影响，模拟中所采用器件的栅长为0．Spm；顶硅的厚度为50hm，掺杂浓度为 lxlowcm-3，埋氧层为375nm。 我们对全耗尽器件在3种不同的偏置条件下陷获电荷的产生进行了模拟。这3种偏置条件分别对 示p．41。