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热丝辅助改善高速生长a—si：H薄膜性能的研究+
阴生毅1陈光华2荣延栋。朱秀红2
(1中科院电子所，北京100080
2北京工业大学材料科学与工程学院，北京100022)
摘要：!：塑型蓬些在加装了一圈环状热丝的MwEcR—CVD系统中，通过等离子体分解SiH。进行生长。与生长时无
热丝辅助相比，在热丝辅助下高速生长的a-Si：H薄膜呈现出较高的光敏性(光电导／暗电导)、较低的键台氢含量。分
出为调控高速生长的a-Si：H薄膜的性能提供了一种新的途径。
关健词：a-Si：H，热丝MWECR—cvA光敏性
台≯
PAcc．8115H：685}
中图分类号：0484
of of of films
Study a-Si：H at
improvement
properties grownhigll
r8tehotwireassisted
by MWECR．CVD
Yin Zhu 2
Shengyil，Chen
Guanghua／。ZhangYongqingI．Rong
yandon92Xiuhong
(1
(2BeijingUniversity
oftechnology,Beiging,100022．China)
a_Si：HfilmsWere of inaMWECR--CVD with
grown Si84 a hotwire
byplasmadecompose systemequippedring
totheconditionwith hot
no a-Si：Hmms at rateshowed
Comparing wire,the grownhigh photosensidvities
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lowerbond contents．Theindicatedthat hotwire
(photoconductivity／darkconductivity)andhydrogen analyzing the
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plasmaplayskey illlpFoveproperties grown
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