适用于太阳电池的nc-Si%3aH薄膜及nc-Si%2fc-Si异质结的研究.pdfVIP

究 陈哲艮金步平朱正菲 (中国光电技术发展中心，杭州310012) 摘要：本文介绍了使用改进的PECYD薄膜沉积设各．制备出掺杂氢化纳米硅(nc．Si：H)薄膜，并在此 基础上制备了纳米硅／晶体硅(nc-Si／c-Si)异质结；研究了其光学和电学特性。实验表明npSi／c-Si 异质结具有良好的光电转换性能和稳定性，适用于制造太阳电池· 关键词：纳米硅薄膜；异质结：光电性能 O引言 发展太阳能的光电利用技术有着重要意义。目前大规模利用太阳能光电的主要障碍是 太阳电池价格太高，致使阳光发电无法与常规能源相竞争。为了降低现有晶体硅太阳电池 的制造成本．提高其光电转换效率，国内外都在进行大量的研究工作【1l。 纳米硅薄膜是既不同于晶体硅又不同于非晶硅的第三类人工薄膜材料。它由纳米尺寸 (1nm～10nm)的晶粒和晶粒间界组成。其生长是在亚稳态中进行的。已有的一些研究结果 表明它存在着量子尺寸效应，表面效应、量子隧道效应等。正是由于这些使nc—Si：H薄膜 具有许多不同于a—Si和c—si的独特的结构特性和物、化特性(如电导率、光吸收率、带 隙、光致发光、应力和表面活性等)。纳米硅薄膜中的微晶粒具有明显的量子点特征口】。人 们一直期望将它应用于半导体光电器件，以期获得优异的光电特性。 本项研究试图利用掺杂氢化纳米硅薄膜的特异性能，研究由纳米硅与晶体硅形成的半 导体异质结，制备nc—Si／c—Si异质结太阳电池，以期简化晶体Si器件的制备工艺，避开 高温扩散制结过程，并可根据设计要求调整结深，改善短波光响应，提高光电转换效率； 同时又能有效地克服非晶si的S-W效应，提高光电性能的稳定性。 1 nc—Si：tt薄膜及nc-Si／c．Si异质结的制备 单晶硅片衬底和(111)单晶硅片衬底上，采用H。稀释的Sillt作反应气体制备氢化纳米硅 膜，并形成nc—Si／c—Si半导体异质结。典型的nc．Si薄膜沉积工艺参数选用：反应室中预 真空1．0X 10一Pa，沉积时气压30～50 Pa，衬底温度160～180C，射频电源频率13．56MHz． 204 2％；掺杂nc-Si薄膜的磷掺加比例 输出功率0．2～0．3W／cm2。反应气体SiH4／(Sill4+H2)}LYb Q‘CTO．。 晶体硅片电阻率为0．6～0．9 为了研究n(nc-Si)／p(c。si)异质结的光 Ag 学与电学性质，在异质结正面(迎光面) 丌D＼；，。。。』。』弛∞i=H薄膜 采用直流磁控溅射s枪制作了ITO透明 川4型s；衬底 导电薄膜，采用真空蒸发镀膜沉积金属 Al、Ag分别形成背电极和正面栅状电图1 13c—Si／c—Si异质结实验样品结构示意图 极，实验样品的结构示意图见图1。 2实验测试结果和讨论 纳米材料的主要特征是晶粒尺寸在纳米级范围内(即1～lOOnm)，而纳米硅薄膜的晶 粒必须在1～10nm范围 内。但仅仅颗粒小并非一 定是纳米材料，对于纳米 硅薄膜材料，其微晶粒还 必须有明显的量子点特 征。因此，本项研究不仅 要鉴定所制备的si薄膜 晶粒的纳米尺度，而且还 要有足够的证据证明所 制各的si薄膜确是纳米 图2 GGl7玻璃衬底上沉积的 硅薄膜。 tic—Si：H薄膜的x射线衍射谱 对于纳米硅晶粒尺寸 D／max 的鉴定问题，主要是通过具有平行光束的高精度x射线衍射仪(Rigaku2550)，以 小掠射角测定Si薄膜(111)晶向衍射峰，并按Scherrer公式根据衍射峰的半宽度，计 算出晶粒的粒度。 我们对上述条件下所制各的nc—Si：H薄膜进行了测试，测试结果分别如图2、图3所示。 晶硅片上沉积的nc—Si：H的薄膜为3．05nm。 根据以往的研究结果认为：电导率既