多层金属化薄膜工艺基础薄膜沉积的概念判断题薄膜覆盖在晶片上.docVIP

多层金属化 薄膜工艺基础 薄膜沉积的概念 判断题 薄膜覆盖在晶片上所需用的技术包括薄膜沉积和薄膜成长等技术。（√） 薄膜沉积专指底材的表面材质，也是薄膜的形成部分元素之一，如硅的氧化反应。（×） 薄膜成长和薄膜沉积是同样的含义。（×） 单选题 下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（B）。 （A）薄膜沉积 （B）薄膜成长 （C）蒸发 （D）溅射 多选题 （B C D）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。 （A）薄膜成长 （B）蒸发 （C）薄膜沉积 （D）溅射 （E）以上都正确 薄膜沉积技术 单选题 化学气相沉积的英文名称的缩写为（C）。 （A）LVD （B）PED （C）CVD （D）PVD （B）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。 （A）PVD （B）CVD （C）溅射 （D）蒸发 （A）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。 （A）晶核 （B）晶粒 （C）核心 （D）核团 决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（B）而定。 （A）动能最低 （B）稳定 （C）运动 （D）静止 薄膜沉积现象 单选题 硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（A）到达晶片表面的。 （A）粒子的扩散 （B）化学反应 （C）从气体源通过强迫性的对流传送 （D）被表面吸附 薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（B）。 （A）形成晶核 （B）晶粒自旋 （C）晶粒凝结 （D）缝道填补 多选题 晶片表面上的粒子是通过（A B C D）到达晶片的表面。 （A）粒子扩散 （B）从气体源通过强迫性的对流传送 （C）化学反应 （D）被表面吸附 （E）静电吸引 薄膜沉积的机构包括那些步骤（A B C D E）。 （A）形成晶核 （B）晶粒成长 （C）晶粒凝结 （D）缝道填补 （E）沉积膜成长 判断题 PVD和CVD的沉积技术的原理是大同小异的。（√） 蒸发 金属化的概念 判断题 薄膜覆盖在晶片上所需用的技术包括薄膜沉积和薄膜成长等技术。（√） 单选题 下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（B）。 （A）薄膜沉积 （B）薄膜成长 （C）蒸发 （D）溅射 物理气相沉积简称（D）。 （A）LVD （B）PED （C）CVD （D）PVD （D）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。 （A）LPCVD （B）PECVD （C）CVD （D）PVD （A）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。 （A）蒸镀 （B）溅射 （C）离子注入 （D）CVD 金属材料的选择 多选题 为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（A B D E）。 （A）低电阻率 （B）易与p或n型硅形成欧姆接触 （C）可与硅或二氧化硅反应 （D）易于光刻 （E）便于进行键合 判断题 为了形成电极，在衬底上镀金属膜的时候，金属材料应该易于光刻。（√） 为了形成电极，就要要求半导体与金属之间形成低欧姆接触，低电阻连接以及稳定、可靠。（√） 单选题 用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极的（C）。 （A）重要步骤 （B）次要步骤 （C）首要步骤 （D）不一定 电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（D）。 电子源 （B）电子泵 （C）电子管 （D）电子枪 单一导体层金属淀积 判断题 金属薄膜在半导体技术中一般用在表面连线上。（√） 把各个元件连接到一起的材料、工艺、连线过程一般称为金属化工艺。（√） 在金属的光刻之后加入一个热处理步骤可以确保金属和晶片之间具有较好的导电性能。（√） 金属化系统需要有良好的电流负载能力、和晶片表面具有良好的黏合性。（√） 单选题 为了确保金属和晶片之间具有较好的导电性能而进行的一个热处理步骤，称为（A）。 （A）合金化（B）快速热处理（C）硅化（D）快速热退火