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《IC课程设计》报告 电流镜负载的差分放大器设计 华中科技大学 控制科学与工程系 自动化0807班 张有超 U200813586 同组人：黄腾、黄开拓、胡婵 目录 一、设计目标（题目） 2 二、系统功能定义 3 三、相关背景 3 四、设计过程 6 1、NMOS的特性仿真及参数推导 6 2、PMOS的特性仿真及参数推导 8 3、电流镜负载的放大器特性仿真及参数推导 10 五、个人心得 14 六、参考文献 16 七、附录 16 分工 16 设计目标（题目） 电流镜负载的差分放大器 指导老师：陈晓飞8509，xfchen@） 李小晶 设计一款差分放大器，要求满足性能指标： 负载电容 对管的m取4的倍数 低频开环增益100 GBW(增益带宽积)25MHz 输入共模范围3V 功耗、面积尽量小 参考电路图如下图所示 设计步骤： 仿真单个MOS的特性，得到某W/L下的MOS管的小信号输出电阻和跨导。 根据上述仿真得到的器件特性，推导上述电路中的器件参数。 手工推导上述尺寸下的差分级放大器的直流工作点、小信号增益、带宽、输入共模范围。 如果增益和带宽不符合题目要求，则修改器件参数，并重复上述计算过程。 一旦计算结果达到题目要求，用Hspice仿真验证上述指标。 如果仿真得到的增益和带宽不符合要求，则返回步骤2，直至符合要求 系统功能定义 传统运算放大器的输入级一般都采用电流镜负载的差分对。如下图所示。NMOS器件M1 和M2 作为差分对管，P沟道器件M4，M5 组成电流源负载。电流0 I 提供差分放大器的工作电流。如果M4 和M5 相匹配，那么M1 电流的大小就决定了M4 电流的大小。这个电流将镜像到M5。如果GS1 GS 2 V =V ，则Ml和M2 的电流相同。这样由M5 通过M2 的电流将等于是OUT I 为零时M2 所需要的电流。如果GS1 GS 2 V V ，由于0 D1 D2 I = I + I ， D1 I 相对D2 I 要增加。D1 I 的 增加意味着D4 I 和D5 I 也增大。但是，当GS1 V 变的比GS 2 V 大时， D2 I 应减小。因此要使电路平衡， OUT I 必须为正。输出电流OUT I 等于差分对管的差值，其最大值为0 I 。这样就使差分放大器的差分输出信号转换成单端输出信号。反之如果GS1 GS 2 V V ， OUT I 将变成负。 相关背景 NMOS管剖面图 NMOS管I-V特性曲线 Mosfet作为信号放大时，其输入的信号一般为交流信号，即随时间而变化的电信号，这是器件的特性将因信号变化的大小及快慢而不同，有低频、高频之分。 单个mosfet的主要参数包括： 1.直流参数： 开启电压Vt，即当Vds为某一固定值使Id等于一微小电流时，栅源间的电压。 2.交流小信号参数： PMOS、NMOS的栅跨导：越大，说明器件的放大能力越强，可以通过设计宽长比大的图形结构来提高跨导。 小信号电阻：说明了Vds对Id的影响，是输出特性在某一点上切线斜率的倒数。 相关公式： 电流公式： , MOS管等效电阻公式：=1/ gds =1/（mos管要工作于饱和区） gds= 直流工作点 在计算增益要求的性能指标时要用到如下增益、带宽公式： 小信号增益： 单位增益带宽： 电流镜负载的差分放大器电路 设计过程 1、NMOS的特性仿真及参数推导 单个Nmos管的仿真，NMOS以共源连接方式连接，如图 。其中电流 I=40uA，管子宽长比W=100u，L=1u，VDD=5v 仿真网表： nmos .options list node post .op .LIB D:\Installed\Hspice\Lib\CMOS_035_Spice_Model.lib TT Mp d d 0 0 N_33 L=1u W=100u ID VDD d 40u VDD VDD 0 5v .END 得到静态仿真结果： **** mosfets subckt element 0:mp model 0:n_33 region Saturati id 40.0000u ibs -6.249e-21 ibd -4.1440f vgs 680.3816m vds 680.3816m vbs 0. vth 661.6627m vdsat 82.1938m vod 18.7189m beta 18.2183m g