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2009级硕士文献阅读综述报告 论文题目：第一原理计算合金元素掺杂对于密排六方结构 Mg和Ti5Si3的广义层错能的影响 姓 名： 张 楠 专 业：材料加工工程 学 号： 2009432063 指导教师: 王慧远(教授) 吉林大学2010 年 月 日 Si系金属间化合物作为新一代超高温结构候选材料而成为众多科学家关注的焦点[5-7]。其中，Ti-Si 共晶合金中具有HCP结构的Ti5Si3是难熔金属间化合物,它具硬度高(968±30)HV，熔点高(2130℃)、密度低(当量组分的密度为4.32g/cm3) 等优点[8]。它的熔点可与陶瓷相比较, 密度却比陶瓷及高温合金低, 与钛合金接近, 因此具备了在高温(1600℃)下应用的前景。而且其良好的耐热性、抗氧化性和耐蚀性，适合使用在高温工作的零件表面。由于Ti5Si3具有如此多的优良性能而倍受人们的关注。 然而，由于它们具有较低室温脆性和断裂韧性，从而限制其应用。对于Mg合金，由于HCP结构对称性差，因此滑移系少。其主要的滑移系统是基面滑移系统(), 它只能提供两个独立的滑移系统，远远低于任意均匀应变所需要的5个独立的滑移系统。因此导致了较低的室温脆性和断裂韧性。 而对于Ti5Si3，其仅有-1101)和2-311)两个独立的滑移面[]，Ti5Si3具有金属键和共价键，并且其结构对称性差，沿[0001]晶向的共价键结合力明显强于沿[-2110]晶向的金属键结合力[]，导致Ti5Si3沿c轴方向的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion，简称CTE)约为沿a轴方向的3倍[11]。因而，如果相邻晶粒取向不一致，从高温冷却到室温后由于不同晶向的收缩程度不同，会在晶粒内产生热残余微应力，当温度降低到韧-脆转化温度以下时，在晶界处产生应力集中，当晶界处的应力集中超过一定值时就会导致在Ti5Si3中形成微裂纹，从而导致其在室温下断裂。 合金化是提高材料综合性能的重要途径之一。合金化的目的主要有两个，一是通过改变金属间化合物的电子结构及键合性质，降低层错能促进位错的形成，增加滑移系统的数量，从而增强其室温脆性及断裂韧性。而合金化的另一主要目的是析出适量的韧化相，如果这些韧化相均匀分布在晶界上，就有可能获得既具备金属间化合物各项优异性能又具有足够塑性的理想材料。 显而易见，如果合金元素的添加能够增加材料的滑移系统数目或者促进孪晶的形成，则会提高材料的韧性。目前，镁合金常用合金元素主要有Al, Zn, Ca, Si, Zr, Li, RE, Y 等[9,11-14]。这些元素的添加可以明显的改善Mg合金的韧性。而对于Ti5Si3，合适的合金元素的添加可以降低CTE，从而提高其韧性。但是关于合金元素掺杂对于其滑移系统影响的报道还较少。层错能(stacking fault energy，简称 SFE)的变化是对于滑移系统的激活以及孪晶的形成有重要影响，一些研究者通过实验的方法，初步研究了它们之间的关系。但是在实验中很难精确的测量SFE的数值。而Vitek[15]通过模拟计算的方法计算出的广义层错能(generalized stacking fault (GSF) energy)能够全面而精确的描述SFE。GSF对于精确的描述位错的形核结构和位错运动有重要的作用[16,17]。低的GSF表示低的阻碍作用和很好的流动性，而高的GSF则表示位错不易滑动[18]。 近年来，随着基于密度泛函理论的第一性原理计算方法的日趋成熟以及计算机技术的快速发展，这种方法已被广泛应用到GSF的研究之中并取得了较大的成功[19-21]。本文选取不同合金化元素，借助第一性原理计算方法分析合金元素掺杂对Mg和Ti5Si3的广义层错能的影响，从而为HCP结构物质的合金化研究提供一定的理论基础。 2 国内外研究概况 Mg合金的层错能的研究现状 近年来，许多研究者通过实验的方法研究了Mg和Mg合金中，位错的激活与SFE之间的关系。 Suzuki等人[22]发现向热轧Mg-Y合金添加摩尔百分比为0.02-0.04的Zn之后，非基面(锥面和柱面)上的位错数量降低而基面上的位错增加，因此他们认为Zn的添加可以有效的降低SFE，并导致位错被限制在基面上滑移，抑制了非基面位错的启动。 Chino等人[23]认为向Mg中添加质量分数为0.2%的Ce能够促进交滑移，而交滑移的启动能够促进柱面a滑移系统的启动。 图1 不同扩散条件下，拉伸3%的试样的扫描电镜图。(a) 在轧制Mg-0.2wt%Ce合金中可见位错 (b) 在轧制Mg-0.2wt%Ce合金中伯格斯矢量伯格斯矢量是主要的滑移系统，滑移系统也可以形成稳定的层错，但是由于与相对于基面滑移系统具有较高的SFE，因此很难发生滑