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第 1、2 课时
课题 半导体特性、PN结、二极管 课型 教学
目的 了解半导体的特性和PN结的形成与特性
掌握二极管、稳压管的特性 重点
难点 PN结的形成与特性
二极管的伏安特性 教 学 过 程
半导体的导电特性
1、光敏性、热敏性、可掺杂性
2、本征半导体:纯净的半导体称为本征半导体。
3、N型半导体
结构形成方式:掺入五价杂质元素使载流子数目增多,自由电子是多子
4、P型半导体
结构形成方式:掺入三价杂质元素使载流子数目增多,空穴是多子
PN结的形成与特性
形成过程
特性:单向导电性
二极管
1、结构、外形、分类:
(1)按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。
(2)按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。
(3)按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。
(4)按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。
(5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。
2、主要参数
3、判别办法:用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。
4、二极管的伏安特性。
5、特殊功能二极管:稳压管、发光二极管 课后
小结 半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电PN结具有单向导电性
普通二极管电路的分析主要采用模型分析法
稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似,均由PN结构成。但稳压二极管工作在反向击穿区
第 3、4 课时
课题 半导体三极管 课型 教学
目的 了解三极管的结构与特性;2、掌握三极管的类型和电流放大原理;
3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点
难点 三极管的电流放大原理
三极管的输入输出特性 教 学 过 程
三极管的基本结构和类型
二、三极管在电路中的联接方式
三、三极管的电流放大作用及原理
三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。
1)发射区向基区发射电子的过程
2)电子在基区的扩散和复合过程
3)电子被集电区收集的过程
特性曲线和主要参数
1、输入特性: iB=f(uBE)常数 2、输出特性: iC=f(uCE)常数 课后
小结 了解三极管的结构与特性;掌握三极管的类型和电流放大原理;
理解三极管的特性曲线和主要参数。
第 5、6 课时
课题 共发射极放大电路 课型 教学
目的 1、了解电路的结构组成
2、用图解法分析静态工作点和动态波形 重点
难点 电流放大原理
2、特性曲线 教 学 过 程
三极管的基本结构和类型
1、
2、在电路中的联接方式
极管的电流放大作用及原理
特性曲线和主要参数
输入特性
IE=IC+IB
输出特性
IE=f(UBE)|UCE:常数
IC=f(UCE)|IB:常数
主要参数
电路组成及各元件作用
图解法分析静态工作
1、直线:IBRB=UCC-UBE直线:UCC=ICRC+UCEQ、
动态波形分析
课后
小结 了解共发射极放大电路的结构组成,及原理。熟练进行图解法分析放大器的静态工作点和动态波形。 第 7、8 课时
课题 共发射极放大电路的动态分析 课型 教学
目的 了解微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数。 重点
难点 微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数
微变等效电路的画法 教 学 过 程
一、三极管的微变等效电路:
二、放大器的微变等效电路:
课后
小结
掌握共发射极放大电路的动态分析和交流动态参数的计算。
三、交流动态参数的计算:1、电压放大倍数 = 2.输入输出电
第 9、10 课时
课题 放大器的偏置电路 课型 教学
目的 了解放大器静态工作点变化对放大器性能的影响;掌握放大器偏置电路的分析计算。 重点
难点 放大器静态工作点变化对放大器性能的影响
放大器偏置电路的分析计算 教 学 过 程
一、静态工作点不稳定的原因
静态工作点不稳定的原因较多,如温度变化、电源波动、元件老化而使参数发生变化等,其中最重要的原因是温度变化的影响。
l、 温度变化时对ICEO的影响
一般情况,温度每升高 12℃ ,锗管ICEO数值增大一倍;温度每升高 8℃ 时,硅管的ICEO数值增大一倍。
2、温度变化对发射结电压uBE影响
在电源电压不变的情况下,温度升高后,使uBE减小,一般晶体管uBE的温度系数约为-2~2.5 mv/℃。uBE减小,将使iB和iC增大,工作点上移。
3、温度变
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