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第一章 常用半导体器件
自 测 题
一、判断下列说法是否正确,用 “√”和 “×”表示判断结果填入空内。
(1 )在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型
半导体。( )
(2 )因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )
(3 )PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )
(4 )处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( )
(5 )结型场效应管外加的栅- 源电压应使栅- 源间的耗尽层承受反向电
压,才能保证其 R G S 大的特点。( )
(6 )若耗尽型 N 沟道 MO S 管的 UG S 大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )
解:(1 )√ (2 )× (3 )√ (4 )× (5 )√ (6 )×
二、选择正确答案填入空内。
(1 )PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。
A . 变窄 B . 基本不变 C . 变宽
(2 )设二极管的端电压为 U ,则二极管的电流方程是 。
A . I S e U B . I eU UT C . I (eU UT -1)
S S
(3 )稳压管的稳压区是其工作在 。
A . 正向导通 B .反向截止 C .反向击穿
(4 )当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。
A . 前者反偏、后者也反偏
B . 前者正偏、后者反偏
C . 前者正偏、后者也正偏
(5 )UG S =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。
A . 结型管 B . 增强型 MOS 管 C . 耗尽型 MOS 管
解:(1 )A (2 )C (3 )C (4 )B (5 )A C
第一章题解-1
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三、写出图T1.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD =0. 7V 。
图 T1.3
解:UO 1 ≈1.3V ,UO 2 =0 ,UO 3 ≈-1.3V ,UO 4 ≈2V ,UO 5 ≈1.3V ,
UO 6 ≈-2V 。
四、已知稳压管的稳压值 UZ =6V ,稳定电流的最小值 I Z m i n =5mA 。求
图 T1.4 所示电路中 UO 1 和 UO 2 各为多少伏。
图 T1.4
解:UO 1 =6V ,UO 2 =5V 。
第一章题解-2
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五、某晶体管的输出特性曲线如图 T1.5
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