电场对碲镉汞光电二极管双光子吸收跃迁的影响.pdfVIP

第33卷第 1期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vo1．33，No．1 2014年2月 J．InfraredMillim．Waves February，2014 文章编号：1001—9014(2014)01—0036—04 DOI：10．3724／SP．J．1010．2014．00036 Influenceofelectricfieldontwo-p·hotonabsorption transition inHgCdTephotodiode CUIHao-Yang ， XUYong—Peng， ZENGJun-Dong， YANGJun—Jie， CHUFeng-Hong， TANGZhong (Schoolofelectronicsandinformationengineering，ShanghaiUniversityofElectricPower，Shanghai200090，China) Abstract：Anexperimentalstudyoftwophotonabsorption(TPA)intheHgCdTepnjunctiondetectorswasreponed．The excitationlightsourcewasapicosecondpulsedinfraredlaser．Eventheincidentphotonenergywasabout60％ ofHgCdTe (MCT)bandgap，anobviouslyphoto—responsewasstillobserved．Quantificationdependenceofthepeakamplitudeonthe incidentintensitypresentedaslopeof2bylinearfittingtotheexperimentaldatainlog—logcoordinate，whichindicatedthat thephoto—responseexhibitedaquadraticpowerdependenceontheincidentintensity，suggestingatypicalTPA process．The twophotonabsorptioncoefficient(TPAC)insidethespacechargeregion(SCR)isashighas130timesthatofoutsidethe depletionregionwhichcanbeattributedtotheTPA Franz—keldysheffect． Keywords：HgCdTe；two—photonabsorptioncoefficient；photovohaic—response PACS ：78．66．Hf 电场对碲镉汞光电二极管双光子吸收跃迁的影响 崔昊杨 ，许永鹏，曾俊冬，杨俊杰，初凤红，唐 忠 (上海电力学院 电子与信息工程学院，上海 200090) 摘要：实验研究了具有pn结结构的碲镉汞光电二极管的双光子吸收．激发光源采用 了皮秒红外脉冲激光．尽管入 射光子能量仅为碲镉汞材料带隙的60％左右，在光电二极管两电极端仍然观察到了显著的光伏响应信号．利用线 性关系拟合双对数坐标系下光伏响应与入射光强的关系，发现两者呈现二次幂函数增强趋势，表明这种光伏响应 是一种典型的双光子吸收过程．通过调节光电二极管两端的反向偏压，空间电荷 区内的双光子吸收系数可比耗尽 层外的强致 130倍，这种双光子吸收系数的场致增强现象可归因为双光子吸收的FK效应所致．对比空间电荷 区 内外双光子吸收产生的光生载流子数量，证实空间电荷 区内的双光子吸收会强烈地影响器件的光伏响应． 关 键 词：碲镉汞；双光子吸收系数；光伏响应 中图分类号：TN215 文献标识码 ：A