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讨论:1、合成波的性质: z Ex 0 z Hy 0 z Hy 0 z Ex 0 对任意时刻t,当 对任意时刻t,当 时,合成波电场皆为零(磁场则为最大值 ) 合成波磁场皆为零, 电场则为最大值 合成波的性质: 振幅随距离变化 电场和磁场原地振荡,电、磁能量相互转化。 这种随t变化, 的振幅按正弦变化,但波节、 波腹点的位置不变的波,称为驻波。 合成波为驻波 , 的驻波在时间上有 的 相移,在空间位置上又错开?/4 2、导体表面的场和电流 在理想导体表面的感应面电流为: 3、合成波的平均能流密度 结论:合成波(驻波)不传播电磁能量,只存在能量转换。 二、对两种导电媒质分界面的垂直入射 x 入 反 1 2 y z 透 设左、右半空间均为导电媒质,分界面左边为1区,媒质参数为 ;分界面右边为2区,媒质参数为 。均匀平面电磁波从媒质1中垂直入射到分界面,在媒质分界面上将发生反射和透射。透射波在媒质2中将继续沿+z方向传播。 设入射波电场为 设反射波电场为 则入射波磁场为 则反射波磁场为 注意: 设透射波电场为: 均为复数 由分界面边界条件: 媒质1中总的电场、磁场为: 定义:反射系数 透射系数 则 讨论: 1、反射系数和透射系数关系为: 一般情况下, 和 是复数,反射波和透射波将 引入一个附加的相移 2、当媒质2为理想导体时, 可知 电磁波垂直入射到理想导体表面时,反射系数为-1。 3、当分界面两边均为理想介质时,媒质本征阻抗为实数,即 均为实数,则 和 均为实数。 三 对理想介质分界面的垂直入射 设两种媒质均为理想介质,即 ?1= ?2= 0 则 讨论 当η2 η1时,Γ 0,反射波电场与入射波电场同相。 当η2 η1时,Γ 0,反射波电场与入射波电场反相。 x 介质 1: 介质 2: z z=0 y 媒质1中的入射波: 媒质1中的反射波: 媒质1中的合成波: 媒质2中的透射波: 合成波的特点 这种由行波和纯驻波合成的波称为行驻波(混合波) —— 合成波电 场 —— 驻波电场 z —— 行波电场 —— 合成波电 场振幅 —— 合成波电 场 z 合成波电场振幅(? 0) 当β1z =-nπ,即 z =-nλ1/ 2 时,有 当β1z =-(2n+1)π/2,即z =-(n/2+1/4)λ1 时,有 合成波电场振幅(? 0) —— 合成波电 场振幅 —— 合成波电 场 z 当β1z =-nπ,即 z =-nλ1/ 2 时,有 当β1z =-(2n+1)π/2,即z =-(n/2+1/4)λ1 时,有 驻波系数 S 定义为驻波的电场强度振幅的最大值与最小值之比,即 驻波系数(驻波比) S 讨论 当Г=0 时,S =1,为行波。 当Г=±1 时,S = ? ,是纯驻波。 当 时,1 S ? ,为混合波。S 越大,驻波分量 越 大,行波分量越小; 例6.1.2 在自由空间,一均匀平面波垂直入射到半无限大的无耗介质平面上,已知自由空间中,合成波的驻波比为3,介质内传输波的波长是自由空间波长的1/6,且分界面上为驻波电场的最小点。求介质的相对磁导率和相对介电常数。 解:因为驻波比 由于界面上是驻波电场的最小点,故 又因为2区的波长 而反射系数 式中 媒质2中的平均功率密度 媒质1中沿 z 方向传播的平均功率密度 电磁能流密度 由 入射波平均功率密度减去反射波平均功率密度 例6.1.3 入射波电场 ,从空气(z 0)中正入射到 z = 0 的平面边界面上。在 z 0区域中,μr=1 、εr = 4 。求区域 z 0的电场和磁场 。 解:z 0 区域的本征阻抗 透射系数 媒
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