3第三章 扩散.pptVIP

横向扩散深度: ①当硅内的浓度比Ns小两 个数量级，为纵向扩散的 75%-85%。 ②高浓度掺杂，则为 纵向扩散的65%- 70%。 3.6 二维扩散（横向扩散） 横向扩散的影响 ①ULSI的集成度减小：设计尺寸（如沟道长度L） 大于实际尺寸。 ②横向穿通效应 3.6 二维扩散（横向扩散） 3.7 扩散工艺（自学） 按扩散系统：开管、闭管、箱法； 按杂质源：固态，液态，气态； ： 3.7 扩散工艺 3.5.1 固态源扩散 组成：主要是掺杂元素的氧化物，如B2O3、P2O5、BN 形态：片状、粉状、乳胶状、薄膜（掺杂的多晶硅） 扩散方式： ①开管: 杂质源是片状和粉状，且杂质源与Si平分 开，不接触。 特点：工艺简便，重复性、稳定性好。 ②箱法：杂质源和Si片放在有盖的石英箱里。 特点：恒定表面源扩散，即NS=NSi；兼有开管和闭 管的优点。 ③涂源法：将掺有扩散杂质的乳胶源旋涂在Si片上。 特点：适于各种扩散杂质； ④薄膜法：用CVD方法先在Si片上淀积一层含扩散杂 质的薄膜，如SiO2、Poly-Si、Si3N4。 特点：工艺灵活。 3.7 扩散工艺 3.5.2 液态源扩散 掺杂源：液态化合物