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浙江省2002年4月高等教育自学考试 线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题(每空1分，共20分) 1.温度升高时，晶体二极管的Is将______，VD(on)将______。 2.NPN型晶体三极管处于放大状态时，三个电极中______极电位最高，______极电位最低。 3.晶体三极管工作在饱和区的条件是发射结______，集电结______。 4.MOS场效应管分为______种类型，结型场效应管分为______种类型。 5.P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是______和______。 6.三种晶体管基本组态放大电路中，______组态输入电阻最高，______组态输入电阻最低。 7.电流源电路的主要参数是______和______。 8.在输入端，将输入端短接后，如果反馈信号加不到放大器输入端，则为______反馈，否则为______反馈。 9.负反馈放大电路自激的幅度条件是______，相位条件是______。 10.集成运算放大器用于______时，要求运放必须工作在线性区，而用作______时，运放实际上已工作在非线性区。 二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分) 1.杂质半导体中多数载流子浓度( ) A.只与温度有关 B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关 C.与温度无关 D.与掺杂浓度和温度都无关 2.工作在放大状态的某PNP晶体三极管，各电极电位关系为( ) A.VCVBVE B.VCVBVE C.VCVEVB D.VCVEVB 3.三极管工作在截止模式时要求( ) A.发射结正偏、集电结正偏 B.发射结正偏、集电结反偏 C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏 4.P沟道JFET管的电路符号为( ) 5.场效应管饱和区和非饱和区的分界点称为( ) A.夹断点 B.预夹断点 C.饱和点 D.截止点 6.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输入端信号的( ) A.和值 B.差值 C.平均值 D.乘积值 7.负反馈放大电路中，为保证电路不产生自激，需引入补偿技术，为保证经补偿后放大电路的带宽不降低，需引入( ) A.简单电容补偿 B.密勒电容补偿 C.超前相位补偿 D.滞后相位补偿 8.希望放大器具有低的输入电阻和稳定的输出电流，应引入( )负反馈。 A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联 9.集成运放组成运算电路时，工作在( ) A.限幅区 B.过渡区 C.截止区 D.线性区 10.若要将周期性方波电压转变为三角波电压，则应选用( ) A.反相比例运算电路 B.同相比例运算电路 C.微分运算电路 D.积分运算电路 三、简答题(每小题5分，共10分) 1.理想二极管电路如图三(1)所示，试判断各二极管的状态(导通或截止)，并求VAO的值。 2.图三(2)所示电路中，已知β=100,VBE(on)=0.7V，ICBO≈0，试指出电路工作模式(放大、饱和或截止)。 四、分析计算题(每小题10分，共50分) 1.如图四(1)所示放大电路，已知晶体三极管β=200,VBE(on)=0.7V，图中各电容对信号频率呈短路，试求： (1)静态工作点Q(ICQ、VCEQ)(用估算法)； (2)电压增益Av； (3)输入电阻Ri、输出电阻Ro； (4)源电压增益Avs。 2.差动放大电路如图四(2)所示，设两管特性相同，VBE(on)=0.7V，β=100，其余参数均忽略不计； (1)若vi=5mv，求v0的值； (2)计算差模输出电阻Rod的值； (3)若要增加该电路的线性工作范围，应