传感器实验报告-半导体温度传感器设计.docVIP

传感器实验报告-半导体温度传感器设计.doc

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《》 学 部: 机械与电子信息学部 姓 名: 班 级: 机械四班 学 号: 2500090402 指导老师: 成绩: 2012年1月1日 半导体温度传感器设计 一、设计目的: 通过本课程的设计,使学生更进一步了解有关温度传感器的工作原理、加工工艺相关知识。 B、综上所述合运用其它先修课程的理论和实践知识,制定设计方案,确定温度传感器的型号等参数,掌握温度的检测方法。 C、通过本课程设计,使学生掌握模拟信号获取、传输、处理及检测的一般方法。 D、通过本课程设计,学生学会应用温度传感器组成一个简单测量系统,提高学生的动手能力。 E、通过计算、分析、绘图,能运用标准,规范,手册和查阅有关资料等,培养仪表设计的基本技能,为毕业设计奠定良好的基础。 二、设计要求和内容: 参考下面的,利用半导体温度传感器AD590和单片机技术设计制作一个显示室温的数字温度传感器,测量误差为正负一度,四位LED数码管显示。 设计内容包括: 详细了解AD590温度传感器的工作原理,工作特性等。 设计合理的信号调解电路。 用单片机各AD芯片进行信号的采样等相关处理,要有pro tel 画的硬件接线原理图、利用C语言在单片机开发软件中编写相关程序,并对单片机关的程序作详细解释。 列出制作该装置的元器件,制作实验板,并调试运行成功。 设计过程分析: 1. 器件选用: 晶振瓷片电容C1,C2 RAD-0.3,30PF、复位电容C3 RAD-0.3,10UF、铝电解电容C4,50V1000UF、铝电解电容 C8,C9,C13,35V1000UF、聚脂电容C5,C7,C10,C11,C12,C14,ct104,104、铝电解电容C6、铝电解电容C16,C18,2.2UF、铝电解电容C13,C15,35V100UF、铝电解电容C17,1UF、220V插座带 1m接受线,LN(PE)POWER-CZ、整流桥D1,D2,2W10、稳压管D3,LM336-2.5V、共阳LED数码管DS1-DS4,DIP10、4芯片5.08接插件JP1,JP4,JP5,4-5.08ZUO、复位电阴,10%,R1,AXIAL-0.4,10K、 限流电阴,10%,R2-R14 ,510,复位开关S1,SPST-2,SW-PB、变压器,AC8V-GND;AC15GND-AC15T1、 DIP40,单片机座、单片机U1,AT89S52、DIP20,741S373座,DIP28,ADC0809座、ADC0809U3、DIP14,74LS02座、74LS02U4,DIP-14/D19.7 74AC02PC、铁壳的,买散热片,以膈供DC5V电机用U5、7815U6、7815U7、AD590,温度传感器U8、DIP8,放大器座、DIP8,MAX6225座、MAX6225U10、调整信号可变电阻VR2 102、调整信号可变电阻VR2 202、调整信号可变电阻VR2 103、晶振,ale六份频为666KHZ Y1、实验板Z1,Z2、铜螺柱四个、导线若干。 2.设计原理: 测温电路原理: 传感器前端信号调理如下图所示 测量范围为室温,这里定为0到80度。0度时,A点输出电压为273.2mv;80度时,A点的界出现电压为(273.2+80)mv。调整B点电压为273.2mv,这样就可以得到差分电压信号VAB与温度的头系为1mv/℃.经过传感器前端调整后的信号VAB要经过放大能够被单片采样。图中LM336提供2.5v参考电压源。 采用通用MCS-51单片机和ADC0809芯片进行数据采样、处理。采样为0~5V的标准信号,对应采样结果为0~255.满足设计要求,信号数据在测量系统中流程变化如下表1-1所示 假定放大后信号数据取值范围为0~2V;单片机接入通道参考电压为2.5V,故0~2.5V的信号相应地被转换为0~255这256个数据;单片机显示温度数据等于单片机采样结果乘上80后再除去204。 这里要求出差分电压信号Vab放大成为与采样为0~2V的标准信号的增益。 G =2000/80=25 我们选用的放大器AD620芯片作为我们的放大器。引脚如图 当T=0时,V0=0V;档T=80时,V0=2V;及灵敏度为25mv/。 温度数据采集和处理 ADC0809的参数电压为,单片机从ADC0809上采样的接口数据N还原为要显示的温度数据T的计算式子 通过接口电路可知:p0

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