2005级电气系单片机试题B附答案.docVIP

（ 2007 至 2008 学年 第_2_学期 ） 一、填空（本大题共20空，每空1分，总计20分） 判断以下指令的正误（在横线上填“正确 √”或“错误 ⅹ”） （1）MOV 28H,@R2 ________ （2）INC DPTR ________ （3）CPL R5 ________ （4）PUSH DPTR ________ （5）MOV F0,Acc.3 ________ （6）MOV C,30H ________ 2、假定累加器A中的内容为30H，执行指令： 1000H: MOVC A,@A+PC ; （此为单字节指令） 后，把程序存储器________单元的内容送入累加器A中。 3、在寄存器间接寻址方式中，其“间接”体现在指令中寄存器的内容不是操作数，而是操作数的________。 4、下列程序段的功能是________ PUSH Acc PUSH B POP Acc POP B 5、在基址加变址寻址方式中，以________作变址寄存器，以________或________作基址寄存器。 6、如果DPTR=507BH,SP=32H,(30H)=50H,(31H)=5FH,(32H)=3CH,执行下列指令 POP DPH POP DPL 后：DPH=________,DPL=________,SP=________。 7、在MCS-51单片机中,若采用6MHz晶振,一个机器周期为________。 8、若A中的内容为63H,P标志位的值为________。 9、8031单片机复位后,R4所对应的存储单元的地址为________,因上电时PSW=________,这时当前工作寄存器区是________组工作寄存器区。 二、写出完成如下要求的指令，但是不能改变未涉及位的内容。（本大题共3小题，每小题5分，总计15分） 把Acc.3,Acc.4,Acc.5和Acc.6清“0”。 把累加器的中间4位清“0”。 使Acc.2和Acc.3置“1”。 三、阅读下列程序，并填空：(15分) 已知程序执行前有A＝02H，SP＝52H，（51H）＝FFH，（52H）＝FFH。 下述程序执行后，请问 A＝________，SP＝________，（51H）＝________，（52H）＝________， DPTR=________。  POP DPH POP DPL MOV DPTR ,#DATA MOV B,A MOVX A,@A+DPTR PUSH Acc MOV A,B INC A MOVX A,@A+DPTR PUSH Acc LOOP: SJMP LOOP DATA: DB 10H,80H,30H,50H,30H, 四、问答题（本大题共4小题，任选做3道小题，每小题10分，总计30分） 说明MCS一51单片机的引脚的作用，该引脚接高电平和低电平时各有何功能？ 访问SFR,可使用哪些寻址方式？ 3 、什么是中断源？MCS-51有哪些中断源？ 4、MCS-51有几个中断源?中断的响应条件是什么？ 五、(20分) 现有8031单片机、74LS373锁存器、1片2764EPROM和两片6264RAM，请使用它们组成1个单片机应用系统，要求： (1)请在下图画出硬件电路连线。 (2)指出该应用系统程序存储器空间和数据存储器空间各自的地址范围。 （设无用位P2.7=0） 考试科目：单片机原理及应用 考试时间： 100分钟 试卷总分 100分 一、填空题参考答案 1、（1）错误 ⅹ (2) 正确 √ (3) 错误 ⅹ (4) 错误 ⅹ (5) 错误 ⅹ (6) 正确 √2、1031H 3、地址 4、交换Acc和B的内容 5、A ,PC,DPTR 6、3CH,5FH,30H 7、2μs 8、0 9、04H,00H,0 二、编程题参考答案 ANL A,#87H ANL A,#0C3H ORL A,#0CH 三、读程序题参考答案 A＝50H，SP＝52H，（51H）＝30H，（52H）＝50H，DPTR=4000H。 四、问答题答题要点 接高电平：先访问片内程序存储器，再访问片外程序存储器；接低电平：只访问片外程序存储器。 直接寻址，部分可位寻址，寄存器间址 中断源：产生中断的请求源；中断源有：外中断0，外中断1，定时中断0，定时中断1，串口中断。 5个中断源，响应条件：中断请求，EA=1，该中断允