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Nandflash的寻址 以SAMSUNG的K9F1208U0B的 NandFlash读取操作的为例。 这个NAND是有4096个block，每个block 分32page， 每个page是512Byte大小（不包括Spare Field)。 Nand Flash的寻址： Nand Flash的地址寄存器把一个完整的 Nand Flash地址分解成Column Address 与Page Address 进行寻址。 Column Address其实就是指定Page上 的某个Byte，指定这个Byte其实也就是指定此页的读写起始地址。 Page Address：页地址。由于页地址总是以512Bytes对齐的，所以它的低9位总是0。确定读写操作是在Flash上的哪个页进行的。 Read1命令：当我们得到一个Nand Flash地址src_addr时，我们可以分解出Column Address和Page Address。 板子上使用的是SAMSUNG的K9F1208U0B，下面我将对此型号的NandFlash读取操作做一个讲解。首先我们先从物理结构上来了解这颗芯片，结构图如下所示: 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又被分为若干扇区，一块Nand Flash被分为若干Block, 每个Block又被分为若干Page。由上图我们可以知道Flash中Byte(字节)，Page(页)，Block（块）3个单位之间的关系为： 1 Page = 512 Bytes Data Field + 16 Bytes Spare Field 1 Blcok = 32 Pages。 K9F1208U0B总共有4096 个Blocks，故我们可以知道这块Flash的容量为： 4096 *(32 *528) =Bytes = 66 MB 。 其中每个Page上的最后16 Bytes是用于存贮检验码用的，并不能存放实际的数据，所以实际上我们可以操作的芯片容量为： 4096 *(32 *512) =Bytes = 64 MB 由上图所示，1个Page总共由528 Bytes组成，这528个字节按顺序由上而下以列为单位进行排列（1列代表一个Byte。第0行为第0 Byte，第1行为第1 Byte，以此类推，每个行又由8个位组成，每个位表示1个Byte里面的1bit）。 这528 Bytes按功能分为两大部分： 分别是Data Field和Spare Field。 其中Spare Field占528 Bytes里的16 Bytes, 这16 Bytes是用于在读写操作的时候存放校验码用的，一般不用做普通数据的存储区。 剩下的512Bytes便是我们用于存放数据用的Data Field。 Data Field按位置关系又可分为两个部分： 分别称为1st half与2nd half；每个half各占256个bytes。 对K9F1208U0B的操作是通过向Nand Flash命令寄存器（对于s3c2410来说此寄存器为NFCMD，内存映射地址为0x4e000004）发送命令队列进行的（连续几条命令或是一条命令加几个参数）。 K9F1208U0B的操作命令集：? 读命令有两个，分别是 Read1，Read2。其中Read1用于读取Data Field的数据； 而Read2则是用于读取Spare Field的数据。 对于Nand Flash来说，读操作的最小操作单位为Page，也就是说当我们给定了读取的起始位置后，读操作将从该位置开始，连续读取到本Page的最后一个Byte为止（可以包括Spare Field）。 确定读写操作是在Flash上的哪个页进行的。Read1命令：当我们得到一个Nand Flash地址src_addr时，我们可以这样分解出Column Address和Page Address。 column_addr=src_addr%512;? // column address page_address=(src_addr9);? ?// page address 也可以这么认为，一个Nand Flash地址的A0~A7是它的column_addr，A9~A25是它的Page Address。(注意地址位A8并