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第七章 半导体存储器 7.1 随机存取存储器(RAM) RAM的基本结构 RAM的存储单元 RAM的容量扩展 RAM的芯片介绍 7.2 只读存储器(ROM) ROM的分类 ROM的结构及工作原理 ROM的应用 ROM的容量扩展 一. RAM的基本结构 由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。 1. 存储矩阵 图中,1024个字排列成32×32的矩阵。 为了存取方便,给它们编上号。 32行编号为X0、X1、…、X31, 32列编号为Y0、Y1、…、Y31。 这样每一个存储单元都有了一个固定的编号,称为地址。 2.地址译码器——将寄存器地址对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号,从而选中该存储单元。 4. 片选及输入/输出控制电路 当选片信号CS=1时,G5、G4输出为0,三态门G1、G2、G3均处于高阻状态,I/O端与存储器内部完全隔离,存储器禁止读/写操作,即不工作。 二. RAM的工作时序(以写入过程为例) 写入操作过程如下: (1)欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端; (2)加入有效的选片信号CS; (3)将待写入的数据加到数据输入端。 (3)在R/W 线上加低电平,进入写工作状态; (4)让选片信号CS无效,I/O端呈高阻态。 三. RAM的容量扩展 1.位扩展 用8片1024(1K)×1位RAM构成的1024×8位RAM系统。 2.字扩展 四、RAM芯片简介(6116) 7.2 只读存储器(ROM) (2)一次性可编程ROM(PROM)。出厂时,存储内容全为1(或全为0),用户可根据自己的需要编程,但只能编程一次。 二.ROM的结构及工作原理 二极管固定ROM举例 (2)输出信号表达式 1.作函数运算表电路 【例7.2—1】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路,x的取值范围为0~15的正整数。 例7.2—1真值表 Y7=m12+m13+m14+m15 【解】 (1)写出各函数的标准与或表达式: 按A、B、C、D顺序排列变量,将Y1、Y2、Y4扩展成为四变量逻辑函数。 (2)选用16×4位ROM,画存储矩阵连线图: 四.EPROM举例——2764 五.ROM容量的扩展 例:用8片2764扩展成64k×8位的EPROM: 本章小节 存储器——用以存储二进制信息的器件。 半导体存储器的分类: 根据使用功能的不同,半导体存储器可分为两大类: (1)随机存取存储器(RAM)也叫做读/写存储器。既能方便地读出所存数据,又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据易失,即一旦掉电,所存的数据全部丢失。 (2)只读存储器(ROM)。其内容只能读出不能写入。 存储的数据不会因断电而消失,即具有非易失性。 存储器的容量:存储器的容量=字长(n)×字数(m) 存储器的基本概念 7.1 随机存取存储器(RAM) 例如,输入地址码A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0000000001,则行选线 X1=1、列选线Y0=1,选中第X1行第Y0列的那个存储单元。 采用双译码结构。 行地址译码器:5输入32输出,输入为A0、A1 、…、A4, 输出为X0、X1、…、X31; 列地址译码器:5输入32输出,输入为A5、A6 、…、A9,输出为Y0、Y1、…、Y31, 这样共有10条地址线。 3. RAM的存储单元 例: 六管NMOS静态存储单元 存储 单元 (1)写入过程: 例如写入“1” (2)读出过程: 例如 读出“1” T1、T2为NMOS非门, T3、T4也为NMOS非门, 两个非门交叉连接组成 基本触发器存储数据。 T5、T6为门控管。 T7、T8是每一列共用的门控管。 1 1 0 0 0 1 0 1 1 0 当CS=0时,芯片被选通:当R/W=1时,G5输出高电平,G3被打开,被选中的单元所存储的数据出现在I/O端,存储器执行读操作; 当R/W =0时,G4输出高电平,G1、G2被打开,此时加在I/O端的数据以互补的形式出现在内部数据线上,存储器执行写操作。 例:用8片1K×8位RAM构成的8K×8位RAM。 6116为2K×8位的静态CMOSRAM 1 0 0 CS 片选 × 0 × OE 输出使能 × 1 0 WE 读/写控制 × 稳定 稳定 A0 ~ A10 地址码输入 高 阻 态 输 出 输 入 D0 ~ D7 输 出 工作模式 低功耗维持 读 写 6116的功能表 A0~A10是地址码输入端, D0~D7是数据输出端, C
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