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一种多链式结构的3D-SIC过硅通孔(TSV)容错方案.pdf

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一种多链式结构的3D-SIC过硅通孔(TSV)容错方案.pdf

ComputerEngineeringandApplications~t算机工程与应用 2012,48(20) 75 一 种多链式结构的3D.SIC过硅通~L(TSV)容错方案 王 伟 ,董福弟 ,陈 田 ,方 芳 WANGWeli。DONG Fudi,CHEN Tian,FANG Fang 1.合肥工业大学 计算机与信息学院,合肥 230009 2.合肥工业大学 管理学院,合肥 230009 1.SchoolofComputerandInformation,HefeiUniversityofTechnology,Hefei230009,China 2.SchoolofManagement,HefeiUniversiytofTechnology,Hefei230009,China WANGW ei,DONG Fudi,CHEN Tian,eta1.3D—SIC TSV fault-tolerantschemebasedonmulti—chains.Corn- puterEngineeringandApplications,2012,48(20):75-80. Abstract:PeoplearegraduallypayattentiontotheThree—Dimensional(3D)Circuitsowingtoitshigherdensiyt, higherratioandlowerpower.NowThroughSiliconVia(TSV)iSthemainissuetoprovidethecommunication1inks betweentheverticaldiesin3D Circuits.However,therewillbesomefailureTSV owingtothelimitationofmanu— facturing.andafailedTSV wil1causethemodulesorthewholechipfailure.A fault.tolerantschemebasedon multi—chainsisproposed.theTSV chainisconstitutedbyseveralTSV whichmakesseveralTSV chainsreusethere— dundantTSV toresumethefailurechip.Accordingtotheexperimentalresults,theentireresumeratiocanbeupt0 90%whilethenmu berofredundantTSVandtheareaoverheadsarebothdropped. Keywords:Three—Dimensional(3D):Through.Silicon—vias(TSV):fault.tolerant 摘 要:三维(3-Dimensional,3D)电路由于其更高的密度、更高的传输速率及低功耗的优点逐渐受到人们的重 视和研究,而硅通-It.,(ThroughSiliconVia,TSV)技术是三维电路 中互联上下层不同模块的主要方法之一。然 而由于制造工艺水平的限制,在芯片制作完成后会出现一些失效TsV,这些失效Tsv会导致由其互联的模块 失效甚至整个芯片的失效。提出了一种多链式的硅通孔容错方案,通过将多个TsV划分为一个TSV链,多个 Tsv链复用冗余TsV的方法修复失效Tsv。通过相关实验显示,该方案在整体修复率达到90%以上的情况下 可以较大地减少冗余TSV增加的个数和面积开销。 关键词:三维 (3D);过硅通孔 (TSv);容错 文章编号:1002.8331(2012)20—0075—06 文献标识码 :A 中图分类号:TP391.7 l 引言 究也 日趋深入。在3D芯片中不同层之间的互连是通 二维电路 (Two—Dimensinal,2D)的发展遇到了越 过硅通~L(ThroughSiliconVia,TSV)来实现 ,一根 来越多的问题 ,例如功耗大 、速率低、占用面积大 Tsv代表一条数据链路用来传输信号。在Tsv制作 等。而三维电路由于其高密度、高传输速率及低功 过程中,由于工艺水平的限制与偶然因素的影响,必 耗的优点逐渐受到人们的重视 ,人们对3D技术的研 然有一些TSV因失效而不能正常工作。如果存在失 基金项 目:中国博士后

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