电子—离子碰撞对超热电子影响的PIC模拟计算.pdfVIP

维普资讯 }；Lj／n^ ／眈一庙 礞 短熟咆 =(，纭 惭 第49卷 5期2000年5月 物 理 学 报 r，’ Vot49，No5．May，2000 1000—3290,2000／49(05)／091507 ACTAPHYSICASINICA J，k．-f @2000ChinPhysSoc． 电子．离子碰撞对超热电子影响 的PIC模拟计算 堡重量丝 (中国科学院上海光学精密机械研究所 ．上海 201800) 丁L 1999年4月 10 日收到{1999年 11月8 日收到修改稿) f 超热电子 离子的产生和辖运在传统的 ICF方案和 点火”方案中都是很重要的问题 讨论 了电子一离子碰撞 对参量不稳定性产生超热 电子 的过程和超热 电子输运过程 的影响 指 出电子J离子弱碰撞项的加 ^增强了碰撞吸 收，提高了热 电子温度 ．降低 了静 电渡破裂时的场能 这些改变 了超热 电子 的总能量和分布 ．使之更集 中于静 电渡 的相速 ；电子一离子碰撞的存在还增强了 自治电场 ，阻碍 了超热 电子的输运 ．同样也是超热电子能量下降的原因之 一 同时．为确保计算结果的可靠 ，讨论了初条件对 PIC模拟计算 的影响．指 出空间位置随机热启动容易引^非物 理因素 ，对计算结果造成明显的不 良影响 PACC：5265：5235 2 理论考虑 1 引 言 2．1 等离子体中电子．离子碰撞对超热电子产生和 众所周知 ，超热电子在传统的 ICF方案中是很 输运的影响 重要 的问题．它会 引起靶核预热 ，影 响靶核的压缩 ． 所以在传统的 ICF方案中，需要抑制超热电子及产 在激光打靶产生 的等离子体 中，高强度激光可 生超热电子的各种等离子体静电不稳定性 ；而在 “快 驱动各种等离子体静 电不稳定性，与此相联系的静 点火”方案中，则需要产生大量的超热 电子，使其能 电渡迅速增长，很快达到非线性饱和阶段，通过各种 量在短时间内大量沉积于靶核 所 以，超热电子的产 波一粒子相互作用把波能转交给电子．对于 1O“一 生和输运都是很重要 的问题．关于超热电子在高密 10 W ／cm 的激光强度激发的参量不稳定性的主 度 区和 低密 度 区的输 运 ，已经 有很 多研 究 工 要饱和机制是模耦合 ，而在更高强度激光打靶的条 作r1-3．这些文献指 出，电导率在超热 电子输运 中 件下 ，通 过波 的破裂把 波能转 交给 电子是重要 因 有重要影响，大大改变了回流热电子的数量 而 电导 素l5】．根据水袋模型，波破裂时的最大场能 E 满 足E4】 率实际上反映了电子一离子碰撞率 ．本文主要用加电 2 子 离子弱碰撞效应的PIC数值模拟方法 ，在等离子 豢2=-+z 一导 一号，(1) 体低密度区对参量不稳定性产生超热电子的过程和 超热电子输运的过程 中的电子．离子碰撞效应进行 其中，卢=3。／v：． 为电子热速度， 为静电渡相 进一步的综合研究 另外，用这种方法也可以对 由靶 速度； 为等离子体振荡频率 ；，m 分别为 电子电 材的不 同和湍流加热引起 的等效碰撞率增加对超 荷和电子质量 在波破裂时被波束缚的电子被甩出， 热电子的影响进行唯象的研究．同时为确保计算 它们的速度达到渡的相速度 。量级